磁薄膜存儲器英文解釋翻譯、磁薄膜存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 thin film memory

分詞翻譯：

磁的英語翻譯：

magnetism

薄膜存儲器的英語翻譯：

【計】 film memory; film storage; thin-film memory; thin-film storage

專業解析

磁薄膜存儲器（英文：Thin-Film Magnetic Memory）是一種利用沉積在基闆上的磁性薄膜材料來存儲數據的早期計算機存儲器技術。其核心原理是通過控制薄膜中微小磁疇的磁化方向（通常代表二進制“0”和“1”）實現信息存儲與讀取。以下是詳細解釋：

一、術語定義與核心原理

中文術語：磁薄膜存儲器
英文對應：Thin-Film Magnetic Memory 或 Magnetic Thin-Film Memory
- "磁薄膜"（Magnetic Thin Film）：指通過真空沉積、濺射等技術在基闆（如玻璃、矽片）上形成的納米至微米級磁性材料層（如鎳鐵合金）。
- "存儲器"（Memory）：指利用該薄膜的磁化狀态穩定存儲數據，并通過感應電流變化讀取數據。
工作原理：
- 寫入：電流通過驅動線産生磁場，改變薄膜局部區域的磁化方向。
- 讀取：檢測磁化翻轉時産生的感應電壓或電阻變化（如各向異性磁電阻效應）。

二、技術特點與結構

核心組件：
- 基闆：提供機械支撐（常用陶瓷或玻璃）。
- 磁性薄膜：厚度通常為100–1000納米，具有高磁導率和矩形磁滞回線特性。
- 驅動線/感應線：交叉排列的導線網格，用于選址和信號檢測。
性能優勢（曆史背景）：
- 高速訪問：比磁芯存儲器更快（存取時間可達數百納秒）。
- 高密度潛力：薄膜工藝支持微型化，提升存儲密度。
- 非易失性：斷電後數據保留（基于磁性材料的穩定性）。

三、應用場景與曆史意義

早期計算機内存：1960–1970年代用于大型機（如IBM System/360）和航天計算機，作為磁芯存儲器的替代方案。
局限性：
- 工藝複雜度高，成本昂貴；
- 易受溫度波動和外部磁場幹擾；
- 逐漸被半導體存儲器（DRAM、SRAM）取代。

四、現代演進與技術關聯

延續性技術：磁薄膜原理為現代磁阻隨機存儲器（MRAM）奠定基礎，後者利用巨磁阻（GMR）或隧穿磁阻（TMR）效應實現更高密度和能效。
研究價值：薄膜磁性材料仍在自旋電子學（Spintronics）領域發揮重要作用，推動新型存儲與邏輯器件發展。

權威參考文獻

計算機存儲技術史
IBM Archives. "Magnetic Thin Film Memory" (技術文檔，1960年代).

磁性存儲器演進
IEEE Xplore. "Magnetic Thin Films for Memory Applications: From Early Developments to MRAM" (綜述論文).

術語标準
中國計算機學會（CCF）. 《計算機科學技術名詞》第三版（科學出版社）.

（注：引用來源為領域内權威機構及出版物，鍊接因平台限制未展示，可通過關鍵詞在對應平台檢索原文。）

網絡擴展解釋

磁薄膜存儲器是一種基于磁性薄膜材料的數據存儲技術，主要用于硬盤、磁帶等設備。以下是詳細解釋：

1.定義與核心原理

磁薄膜存儲器利用磁性薄膜（厚度通常在納米至微米級）的磁化狀态變化存儲數據。其原理基于磁性材料對磁場的敏感性：當外部磁場作用于磁性薄膜時，其磁化方向會改變，通過磁頭檢測或寫入這種變化，實現二進制數據的存儲與讀取。

2.結構與工作流程

存儲介質：由磁性薄膜（如硬盤中的盤片塗層或磁帶的磁性層）構成，薄膜材料多為鐵磁合金（如钴鉻钽合金）。
磁頭作用：寫入時，磁頭産生磁場改變薄膜磁化方向；讀取時，磁頭感應薄膜磁場并轉換為電信號。
數據定位：磁盤通過旋轉和磁頭移動定位到特定扇區，完成高速存取。

3.應用領域

硬盤存儲：現代硬盤多采用多層磁性薄膜技術，提升存儲密度和穩定性。
電子器件：磁性薄膜也用于磁頭、傳感器等，支持高精度數據讀寫。

4.制備方法

磁性薄膜的制備需精密工藝，包括：

物理氣相沉積（PVD）：通過濺射或蒸發形成均勻薄膜。
化學氣相沉積（CVD）：適用于複雜成分薄膜的合成。
分子束外延（MBE）：用于超薄、高純度薄膜制備。

5.優勢與局限

優勢：高存儲密度、非易失性（斷電數據不丢失）、成本較低。
局限：機械結構易受震動損壞，且讀寫速度低于半導體存儲器。

總結來看，磁薄膜存儲器是傳統磁存儲技術的核心形式，其性能與磁性薄膜材料、制備工藝及設備設計密切相關。