磁薄膜存储器英文解释翻译、磁薄膜存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 thin film memory

分词翻译：

磁的英语翻译：

magnetism

薄膜存储器的英语翻译：

【计】 film memory; film storage; thin-film memory; thin-film storage

专业解析

磁薄膜存储器（英文：Thin-Film Magnetic Memory）是一种利用沉积在基板上的磁性薄膜材料来存储数据的早期计算机存储器技术。其核心原理是通过控制薄膜中微小磁畴的磁化方向（通常代表二进制“0”和“1”）实现信息存储与读取。以下是详细解释：

一、术语定义与核心原理

中文术语：磁薄膜存储器
英文对应：Thin-Film Magnetic Memory 或 Magnetic Thin-Film Memory
- "磁薄膜"（Magnetic Thin Film）：指通过真空沉积、溅射等技术在基板（如玻璃、硅片）上形成的纳米至微米级磁性材料层（如镍铁合金）。
- "存储器"（Memory）：指利用该薄膜的磁化状态稳定存储数据，并通过感应电流变化读取数据。
工作原理：
- 写入：电流通过驱动线产生磁场，改变薄膜局部区域的磁化方向。
- 读取：检测磁化翻转时产生的感应电压或电阻变化（如各向异性磁电阻效应）。

二、技术特点与结构

核心组件：
- 基板：提供机械支撑（常用陶瓷或玻璃）。
- 磁性薄膜：厚度通常为100–1000纳米，具有高磁导率和矩形磁滞回线特性。
- 驱动线/感应线：交叉排列的导线网格，用于选址和信号检测。
性能优势（历史背景）：
- 高速访问：比磁芯存储器更快（存取时间可达数百纳秒）。
- 高密度潜力：薄膜工艺支持微型化，提升存储密度。
- 非易失性：断电后数据保留（基于磁性材料的稳定性）。

三、应用场景与历史意义

早期计算机内存：1960–1970年代用于大型机（如IBM System/360）和航天计算机，作为磁芯存储器的替代方案。
局限性：
- 工艺复杂度高，成本昂贵；
- 易受温度波动和外部磁场干扰；
- 逐渐被半导体存储器（DRAM、SRAM）取代。

四、现代演进与技术关联

延续性技术：磁薄膜原理为现代磁阻随机存储器（MRAM）奠定基础，后者利用巨磁阻（GMR）或隧穿磁阻（TMR）效应实现更高密度和能效。
研究价值：薄膜磁性材料仍在自旋电子学（Spintronics）领域发挥重要作用，推动新型存储与逻辑器件发展。

权威参考文献

计算机存储技术史
IBM Archives. "Magnetic Thin Film Memory" (技术文档，1960年代).

磁性存储器演进
IEEE Xplore. "Magnetic Thin Films for Memory Applications: From Early Developments to MRAM" (综述论文).

术语标准
中国计算机学会（CCF）. 《计算机科学技术名词》第三版（科学出版社）.

（注：引用来源为领域内权威机构及出版物，链接因平台限制未展示，可通过关键词在对应平台检索原文。）

网络扩展解释

磁薄膜存储器是一种基于磁性薄膜材料的数据存储技术，主要用于硬盘、磁带等设备。以下是详细解释：

1.定义与核心原理

磁薄膜存储器利用磁性薄膜（厚度通常在纳米至微米级）的磁化状态变化存储数据。其原理基于磁性材料对磁场的敏感性：当外部磁场作用于磁性薄膜时，其磁化方向会改变，通过磁头检测或写入这种变化，实现二进制数据的存储与读取。

2.结构与工作流程

存储介质：由磁性薄膜（如硬盘中的盘片涂层或磁带的磁性层）构成，薄膜材料多为铁磁合金（如钴铬钽合金）。
磁头作用：写入时，磁头产生磁场改变薄膜磁化方向；读取时，磁头感应薄膜磁场并转换为电信号。
数据定位：磁盘通过旋转和磁头移动定位到特定扇区，完成高速存取。

3.应用领域

硬盘存储：现代硬盘多采用多层磁性薄膜技术，提升存储密度和稳定性。
电子器件：磁性薄膜也用于磁头、传感器等，支持高精度数据读写。

4.制备方法

磁性薄膜的制备需精密工艺，包括：

物理气相沉积（PVD）：通过溅射或蒸发形成均匀薄膜。
化学气相沉积（CVD）：适用于复杂成分薄膜的合成。
分子束外延（MBE）：用于超薄、高纯度薄膜制备。

5.优势与局限

优势：高存储密度、非易失性（断电数据不丢失）、成本较低。
局限：机械结构易受震动损坏，且读写速度低于半导体存储器。