動态隨機存取存儲器英文解釋翻譯、動态隨機存取存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

DRAM

分詞翻譯：

動态的英語翻譯：

dynamic; dynamic state; trends
【經】 movement

隨機存取存儲器的英語翻譯：

【計】 RAM; random access memory; random acess memory

專業解析

動态隨機存取存儲器（Dynamic Random-Access Memory，DRAM）是一種基于電容電荷存儲原理的半導體存儲器，其英文全稱直接體現了其核心特性："Dynamic"指需要周期性刷新以維持數據，"Random-Access"表示可對任意存儲單元進行讀寫操作。作為現代計算機主存的主要實現形式，DRAM通過由晶體管和電容構成的存儲單元陣列實現數據暫存，其單管結構相比靜态存儲器（SRAM）具有更高存儲密度和更低成本。

從技術架構分析，DRAM包含三大核心組件：存儲單元陣列（Memory Cell Array）通過行列譯碼器定位特定地址，靈敏放大器（Sense Amplifier）負責檢測微小電荷變化并放大信號，刷新電路（Refresh Circuit）則每隔64ms執行一次數據再生以補償電容漏電。這種動态刷新機制使其功耗較SRAM更高，但單位面積存儲容量可達SRAM的6-8倍，在服務器、個人計算機和移動設備中得到廣泛應用。

根據JEDEC固态技術協會标準，現代DRAM主要采用DDR（Double Data Rate）接口協議，通過時鐘信號上升沿和下降沿雙沿觸發實現數據速率倍增。當前主流DDR5規格單引腳速率可達6.4Gbps，配合Bank Group架構顯著提升并發訪問效率。在工藝演進方面，1α納米制程技術已實現16Gb單片容量，晶體管栅極長度縮減至12nm級别，推動存儲密度持續提升。

網絡擴展解釋

動态隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，簡稱DRAM）是一種基于電容存儲電荷的半導體存儲器，主要用于計算機等電子設備的臨時數據存儲。以下從原理、結構、特點和應用等方面綜合解釋：

1.基本原理

DRAM通過電容存儲電荷來表示二進制數據（充滿電荷為1，無電荷為0）。但由于電容存在電荷洩漏問題，必須通過周期性刷新（每幾毫秒一次）重新寫入數據以維持電荷狀态。

寫入操作：通過晶體管控制電容充電或放電。
讀取操作：檢測電容電荷量，但讀取會導緻電荷流失，需立即刷新。
刷新機制：由專用電路完成，對存儲單元逐行讀取并重新寫入。

2.核心結構

每個存儲單元采用1T1C結構（1個晶體管+1個電容）：

晶體管作為開關，控制電容的充放電。
電容負責存儲電荷，容量極小（約30飛法），導緻電荷易洩漏。
這種設計實現了高集成度，適合大容量存儲，但需額外刷新電路。

3.關鍵特點

易失性：斷電後數據丢失（依賴電荷維持）。
隨機存取：可直接訪問任意存儲單元，無需順序讀取。
高密度低成本：結構簡單，單位面積存儲容量高于SRAM（靜态隨機存儲器）。
速度與功耗：讀寫速度低于SRAM，但高于硬盤/SSD；刷新操作會增加功耗。

4.典型應用

DRAM主要用于需要高容量、低成本臨時存儲的場景：

計算機主内存（如台式機、服務器内存條）；
移動設備運行内存（如手機DRAM芯片）；
圖形處理單元（GPU）顯存。

5.與SRAM的對比

特性	DRAM	SRAM
存儲單元結構	1T1C（晶體管+電容）	6T（6個晶體管）
刷新需求	需要	不需要
速度	較慢	更快
成本	低	高
適用場景	主内存	高速緩存（如CPU緩存）

如需更詳細信息，可參考相關網頁來源：。