逆栅流英文解釋翻譯、逆栅流的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 backlash

分詞翻譯：

逆的英語翻譯：

athwart; contradictorily; counter; disobey; go against; inverse
【醫】 contra-

栅的英語翻譯：

bar

流的英語翻譯：

flow; stream; current; stream of water; class; wandering
【計】 stream
【化】 flow coating(process); stream
【醫】 current; flow; flumen; flumina; rheo-; stream

專業解析

逆栅流（Reverse Gate Current）是場效應晶體管（FET）工作中重要的電學參數，指在栅極與源極之間施加反向偏置電壓時，從栅極流向溝道區域的微小電流。該現象主要存在于金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中，由量子隧穿效應和熱載流子注入兩種物理機制共同導緻。

從器件物理層面分析，逆栅流的形成包含三個關鍵因素：

栅氧化層厚度縮減至5納米以下時，電子通過隧穿效應穿透勢壘
高電場強度下碰撞電離産生的二次電子注入
界面态陷阱電荷的充放電過程（參考《IEEE Electron Device Letters》第41卷）

在電路設計領域，逆栅流會引發兩類實際問題：

靜态功耗增加：65納米制程芯片中，栅洩漏電流可達每晶體管1nA量級（Intel技術白皮書）
阈值電壓漂移：長期累積電荷會改變器件開關特性（TSMC 16nm工藝可靠性報告）

國際半導體技術路線圖（ITRS）建議采用高介電常數材料（如HfO₂）和金屬栅結構來抑制逆栅流。最新研究表明，原子層沉積技術可将栅洩漏電流降低2個數量級（《Applied Physics Letters》2024年6月刊）。

網絡擴展解釋

根據搜索結果和相關電學背景知識，"逆栅流"一詞的詳細解釋如下：

一、基本定義在電學領域，"逆栅流"對應的英文術語是"backlash"，指電路中由于方向突變或能量反沖産生的瞬時反向電流現象。常見于電機控制、晶體管開關等場景，屬于瞬态電流的一種。

二、典型特征

方向突變性：在控制信號切換時突然産生反向電流
瞬時強度高：可能達到正常工作電流的數倍
危害性：易造成電壓尖峰，損壞半導體器件或電容器等元件

三、應用場景

晶體管開關電路的關斷瞬間
電機換向時的電磁反沖
電力電子設備的保護電路設計

該術語屬于專業領域詞彙，具體應用需參考《電力電子技術》等專業文獻。如需更權威的學術定義，建議查閱IEEE标準術語庫或相關行業白皮書。