
【電】 filled band
full; completely; expire; fill; complacent; impletion
belt; bring; strap; strip; take; wear
【計】 tape
【化】 band
【醫】 balteum; band; belt; chord; chorda; chordae; chordo-; cingule; cingulum
cord; desmo-; girdle; ribbon; strap; strip; taenia; taenia-; taeniae
tape; teni-; tenia; zona; zone
【經】 belt
在固體物理學中,"滿帶"(英文:Valence Band 或Filled Band)指電子完全占據的能帶,是區分導體、半導體和絕緣體的核心概念。其定義與特性如下:
滿帶(Valence Band)
指在絕對零度下,固體中能量最低且被電子完全填滿的能帶。該能帶中的電子無法自由移動形成電流,因其所有可能的量子态均被占據,電子需跨越禁帶(Band Gap)至空帶(導帶)才能參與導電。
與導帶的關系
兩者之間的能量差稱為禁帶寬度(Band Gap),決定材料的導電性。
滿帶與導帶間禁帶寬度大(>5 eV),電子難以躍遷,如金剛石(禁帶寬度 5.5 eV)。
禁帶寬度較小(0.1–3 eV),熱激發或光照可使滿帶電子躍遷至導帶,形成導電性,如矽(1.1 eV)。
滿帶與導帶重疊或部分填充,電子可自由移動,如金屬銅。
基于量子力學,描述晶體中電子能級分裂為連續能帶。滿帶對應價電子占據的能級,其最高能量點稱為價帶頂(Valence Band Maximum, VBM)。
半導體中,滿帶電子躍遷後留下的空位等效為正電荷載流子,參與導電。
滿帶的電子占據狀态可通過費米-狄拉克分布描述:
$$ f(E) = frac{1}{1 + e^{(E - E_F)/kT}} $$
其中 $E_F$ 為費米能級。滿帶中 $E ll E_F$,故 $f(E) approx 1$(完全占據)。
“滿帶”是固體物理學中的術語,指允帶(允許電子存在的能帶)中所有能量狀态均被電子占據的能帶狀态。以下是具體解釋:
基本定義 滿帶指在特定條件下(如絕對零度時),某一能帶的所有量子态均被電子填滿,不存在空穴或未占據狀态。此時電子無法在該能帶内移動導電。
材料特性表現
注:當前搜索結果僅提供基礎定義,建議結合《固體物理學》教材或權威學術文獻進一步驗證細節。
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