
【化】 contact potential difference
contact; contiguity; get in touch with; meet; osculate; osculation; tangency
touch
【醫】 c.; contact; contiguity; hapt-; hapto-; per contiguum; taction; tactus
touch
【化】 electric potential difference; potential difference
接觸電勢差(Contact Potential Difference)是電學領域中描述兩種不同導電材料接觸時産生的固有電壓差現象。根據《牛津物理學術詞典》定義,其成因源于材料的功函數差異:當兩種金屬或半導體表面接觸時,電子會從功函數較低的材料向較高的一方遷移,直至達到動态平衡狀态。
從工程應用角度,《IEEE标準電子學術語手冊》指出該現象對半導體器件設計和電路精度具有重要影響。例如在晶體管PN結中,接觸電勢差會直接影響載流子的遷移路徑,需在電路建模階段通過修正參數進行補償。
關鍵參數可用公式表達為: $$ V_C = frac{Phi_2 - Phi_1}{e} $$ 其中$Phi$代表材料功函數,$e$為基本電荷量。美國國家标準技術研究院(NIST)的實驗數據顯示,常見金屬組合的接觸電勢差範圍在0.1-3V之間,具體數值取決于材料晶體結構和表面清潔度。
接觸電勢差(Contact Potential Difference)是兩種不同金屬或材料相互接觸時,在接觸界面處産生的電勢差。以下從定義、成因、影響因素等方面進行詳細解釋:
接觸電勢差指兩種不同材料的接觸面因電子轉移形成的電勢差異。當金屬A與金屬B接觸時,電子會從功函數較低(電子逸出容易)的金屬流向功函數較高的金屬,直到動态平衡,形成穩定的電勢差。
主要應用于電化學、半導體器件(如PN結接觸電勢差)及熱電效應研究。
接觸電勢差可近似表示為: $$ V = frac{W_2 - W_1}{e} $$ 其中( W_1 )、( W_2 )為兩金屬的功函數,( e )為電子電荷量。
如需進一步了解具體金屬的功函數數值或實驗測量方法,可參考物理學教材或專業文獻。
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