
【化】 contact potential difference
contact; contiguity; get in touch with; meet; osculate; osculation; tangency
touch
【医】 c.; contact; contiguity; hapt-; hapto-; per contiguum; taction; tactus
touch
【化】 electric potential difference; potential difference
接触电势差(Contact Potential Difference)是电学领域中描述两种不同导电材料接触时产生的固有电压差现象。根据《牛津物理学术词典》定义,其成因源于材料的功函数差异:当两种金属或半导体表面接触时,电子会从功函数较低的材料向较高的一方迁移,直至达到动态平衡状态。
从工程应用角度,《IEEE标准电子学术语手册》指出该现象对半导体器件设计和电路精度具有重要影响。例如在晶体管PN结中,接触电势差会直接影响载流子的迁移路径,需在电路建模阶段通过修正参数进行补偿。
关键参数可用公式表达为: $$ V_C = frac{Phi_2 - Phi_1}{e} $$ 其中$Phi$代表材料功函数,$e$为基本电荷量。美国国家标准技术研究院(NIST)的实验数据显示,常见金属组合的接触电势差范围在0.1-3V之间,具体数值取决于材料晶体结构和表面清洁度。
接触电势差(Contact Potential Difference)是两种不同金属或材料相互接触时,在接触界面处产生的电势差。以下从定义、成因、影响因素等方面进行详细解释:
接触电势差指两种不同材料的接触面因电子转移形成的电势差异。当金属A与金属B接触时,电子会从功函数较低(电子逸出容易)的金属流向功函数较高的金属,直到动态平衡,形成稳定的电势差。
主要应用于电化学、半导体器件(如PN结接触电势差)及热电效应研究。
接触电势差可近似表示为: $$ V = frac{W_2 - W_1}{e} $$ 其中( W_1 )、( W_2 )为两金属的功函数,( e )为电子电荷量。
如需进一步了解具体金属的功函数数值或实验测量方法,可参考物理学教材或专业文献。
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