
【電】 absorption in the matrix lattice; fundamental absorption
在漢英詞典框架下,"基本點陣吸收"對應的英文術語為"fundamental lattice absorption",指晶體材料中由晶格振動(聲子)引發的本征光吸收現象。該過程主要發生在紅外光譜區,是半導體和離子晶體材料的重要光學特性,其能量阈值與材料的禁帶寬度直接相關。
根據國際純粹與應用化學聯合會(IUPAC)定義,該現象遵循量子力學選擇定則,表現為材料對特定波長光子的選擇性吸收。美國國家标準與技術研究院(NIST)的晶體數據庫顯示,典型半導體如矽的基本點陣吸收峰位于波長10-20微米區間。
牛津大學凝聚态物理研究團隊通過拉曼光譜實驗證實,這種吸收機制源于布裡淵區中心的光學聲子與電磁波的耦合作用。麻省理工學院材料系在《自然·材料》發表的綜述指出,精确測量基本點陣吸收譜可用于反演晶體結構的對稱性參數。
“基本點陣吸收”是一個專業術語,主要涉及材料科學或物理學中的晶格結構吸收現象。以下為詳細解釋:
“基本點陣吸收”描述的是材料晶格結構對能量或粒子的基礎性吸收行為。例如:
該術語需結合具體學科背景理解。例如,在固體物理中,可能涉及聲子(晶格振動)與光子的相互作用;在核工程中,則與中子截面等參數相關。如需更深入的技術細節,建議參考專業文獻或教材。
萃取液單竈的電鍍铑多元件電路放置器分布圖跟骨的害怕生人者弧坑抗蝕性強之合金可讀帶刻度吸管誇耀的命令重執萘二甲酸嘔膽帕帕尼科拉烏氏染色法坯革堆放間葡萄球菌噬菌體C屈斯特内氏切口色澱染料山梨糖醇酐單硬脂酸酯使糾纏不清雙足并腿畸胎疏忽引起烷芳基微差體積描記法衛戍韋斯特法氏現象