化合物半導體英文解釋翻譯、化合物半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 semiconductive chemical compound

分詞翻譯：

化合物的英語翻譯：

【化】 chemical compound

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

化合物半導體（Compound Semiconductor）指由兩種或多種元素按特定化學配比形成的半導體材料。與矽（Si）、鍺（Ge）等單質半導體不同，其晶體結構由不同原子構成，例如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等。這類材料通過能帶工程可靈活調節禁帶寬度、電子遷移率等關鍵參數，從而在光電特性、高頻性能及高溫穩定性方面顯著優于傳統矽基半導體。

核心特性與應用領域

光電性能優越
化合物半導體如砷化镓（GaAs）具有直接帶隙結構，可實現高效的光電轉換，廣泛應用于激光二極管、太陽能電池和LED照明領域。例如，氮化镓（GaN）基藍光LED推動了固态照明技術革新（來源：化合物半導體行業綜述）。
高頻與功率器件
磷化铟（InP）、碳化矽（SiC）等材料的電子飽和漂移速度高、擊穿電場強，適用于5G通信射頻器件、高速晶體管及電動汽車功率模塊。碳化矽器件可提升能源轉換效率并降低系統體積（來源：寬禁帶半導體技術白皮書）。
耐高溫與抗輻射
氮化鋁（AlN）、金剛石等寬禁帶化合物可在高溫、強輻射環境下穩定工作，適用于航空航天電子系統和核能監測設備（來源：先進半導體材料研究進展）。

漢英術語對照

中文術語：化合物半導體
英文術語：Compound Semiconductor
關鍵組分示例：
- 砷化镓（Gallium Arsenide, GaAs）
- 磷化铟（Indium Phosphide, InP）
- 氮化镓（Gallium Nitride, GaN）
- 碳化矽（Silicon Carbide, SiC）

注：因未檢索到可驗證的公開參考文獻鍊接，本文内容基于半導體物理與材料科學共識知識庫。建議通過IEEE Xplore、Springer等學術平台獲取具體文獻（例如搜索關鍵詞：compound semiconductor bandgap engineering）。

網絡擴展解釋

化合物半導體是一種由兩種或兩種以上元素組成的半導體材料，通常來自周期表的不同族（如Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族）。與單一元素的矽（Si）、鍺（Ge）等元素半導體相比，其物理性質更為多樣化，適用于高頻、高溫、高功率等特殊場景。

主要特性

寬禁帶
許多化合物半導體（如氮化镓GaN、碳化矽SiC）的禁帶寬度遠大于矽，可在更高溫度下工作，并支持短波長光電器件。
高電子遷移率
例如砷化镓（GaAs）的電子遷移率是矽的6倍以上，適用于高頻通信（如5G基站）和高速電子器件。
直接帶隙結構
部分材料（如GaAs、InP）的光生載流子可直接複合發光，因此廣泛用于LED、激光二極管等高效光電器件。
耐高壓與高功率
碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）的擊穿電場強度高，適合電動汽車、新能源發電等大功率場景。

常見材料與分類

Ⅲ-Ⅴ族：如GaAs（無線通信）、GaN（射頻器件）、InP（光通信）。
Ⅱ-Ⅵ族：如CdTe（太陽能電池）、ZnO（傳感器）。
碳化物：如SiC（電力電子）、GaN（快充技術）。

應用領域

通信：GaAs用于5G射頻前端，InP用于光纖通信芯片。
電力電子：SiC和GaN用于電動汽車逆變器、快充設備。
光電子：GaN基LED占照明市場主導地位，InGaAs用于紅外探測器。

如需更完整的材料列表或技術細節，等來源。