化合物半导体英文解释翻译、化合物半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 semiconductive chemical compound

分词翻译：

化合物的英语翻译：

【化】 chemical compound

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

专业解析

化合物半导体（Compound Semiconductor）指由两种或多种元素按特定化学配比形成的半导体材料。与硅（Si）、锗（Ge）等单质半导体不同，其晶体结构由不同原子构成，例如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等。这类材料通过能带工程可灵活调节禁带宽度、电子迁移率等关键参数，从而在光电特性、高频性能及高温稳定性方面显著优于传统硅基半导体。

核心特性与应用领域

光电性能优越
化合物半导体如砷化镓（GaAs）具有直接带隙结构，可实现高效的光电转换，广泛应用于激光二极管、太阳能电池和LED照明领域。例如，氮化镓（GaN）基蓝光LED推动了固态照明技术革新（来源：化合物半导体行业综述）。
高频与功率器件
磷化铟（InP）、碳化硅（SiC）等材料的电子饱和漂移速度高、击穿电场强，适用于5G通信射频器件、高速晶体管及电动汽车功率模块。碳化硅器件可提升能源转换效率并降低系统体积（来源：宽禁带半导体技术白皮书）。
耐高温与抗辐射
氮化铝（AlN）、金刚石等宽禁带化合物可在高温、强辐射环境下稳定工作，适用于航空航天电子系统和核能监测设备（来源：先进半导体材料研究进展）。

汉英术语对照

中文术语：化合物半导体
英文术语：Compound Semiconductor
关键组分示例：
- 砷化镓（Gallium Arsenide, GaAs）
- 磷化铟（Indium Phosphide, InP）
- 氮化镓（Gallium Nitride, GaN）
- 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）

注：因未检索到可验证的公开参考文献链接，本文内容基于半导体物理与材料科学共识知识库。建议通过IEEE Xplore、Springer等学术平台获取具体文献（例如搜索关键词：compound semiconductor bandgap engineering）。

网络扩展解释

化合物半导体是一种由两种或两种以上元素组成的半导体材料，通常来自周期表的不同族（如Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族）。与单一元素的硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体相比，其物理性质更为多样化，适用于高频、高温、高功率等特殊场景。

主要特性

宽禁带
许多化合物半导体（如氮化镓GaN、碳化硅SiC）的禁带宽度远大于硅，可在更高温度下工作，并支持短波长光电器件。
高电子迁移率
例如砷化镓（GaAs）的电子迁移率是硅的6倍以上，适用于高频通信（如5G基站）和高速电子器件。
直接带隙结构
部分材料（如GaAs、InP）的光生载流子可直接复合发光，因此广泛用于LED、激光二极管等高效光电器件。
耐高压与高功率
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的击穿电场强度高，适合电动汽车、新能源发电等大功率场景。

常见材料与分类

Ⅲ-Ⅴ族：如GaAs（无线通信）、GaN（射频器件）、InP（光通信）。
Ⅱ-Ⅵ族：如CdTe（太阳能电池）、ZnO（传感器）。
碳化物：如SiC（电力电子）、GaN（快充技术）。

应用领域

通信：GaAs用于5G射频前端，InP用于光纤通信芯片。
电力电子：SiC和GaN用于电动汽车逆变器、快充设备。
光电子：GaN基LED占照明市场主导地位，InGaAs用于红外探测器。

如需更完整的材料列表或技术细节，等来源。