矽擴散晶膜凸型電晶體英文解釋翻譯、矽擴散晶膜凸型電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 silicon ifffused epitaxial mesa transistor

分詞翻譯：

矽的英語翻譯：

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

晶膜的英語翻譯：

【電】 epitaxial

凸型電晶體的英語翻譯：

【電】 mesa transistor

專業解析

矽擴散晶膜凸型電晶體（Silicon Diffused Mesa Transistor）是一種早期重要的半導體器件，其名稱可拆解并從漢英詞典角度解釋如下：

矽 (Silicon)：
- 指制造該晶體管所用的基礎半導體材料。矽因其良好的半導體特性（如合適的帶隙、儲量豐富、易于提純和形成穩定的氧化物）成為晶體管和集成電路的主要材料。
擴散 (Diffused)：
- 指該晶體管的核心制造工藝——擴散摻雜。在此工藝中，将矽晶圓置于高溫環境中，并引入特定的雜質原子（如硼或磷）。這些雜質原子在高溫下擴散進入矽晶圓表層，改變其電導類型（形成P型或N型區域），從而在矽中精确構建出晶體管所需的PN結（如發射結和集電結）。這是早期雙極結型晶體管（BJT）制造的關鍵步驟。
晶膜 (Crystal Film / Epitaxial Layer - 此處更傾向指晶體本身或晶圓)：
- 此處的“晶膜”并非現代半導體工藝中常指的獨立“薄膜”。在早期晶體管語境下，它更可能指代單晶矽基片或晶圓本身，即進行擴散工藝的基底材料。它強調晶體結構的完整性對器件性能至關重要。有時也可能指代在基片上生長的外延層（Epitaxial Layer），但“擴散晶膜”組合更強調在單晶矽基體上進行擴散。
凸型 (Mesa)：
- 指該晶體管的物理結構形狀。“Mesa”原意為“台地”或“平頂山”，形象地描述了這種晶體管的幾何特征。在制造過程中，在完成擴散形成PN結後，通過選擇性蝕刻（通常是化學蝕刻）去除晶體管區域周圍的部分矽材料，使得包含PN結的有源器件區域像一個個凸起的平台（台面）一樣孤立在矽片上。這種結構有助于減小結電容、提高頻率性能，并便于後續的電極連接和封裝。這是區别于“平面型”晶體管的關鍵結構特征。
電晶體 (Transistor)：
- 即晶體管的通用中文譯名。它是一種利用半導體材料特性制成的三端（基極、發射極、集電極）有源電子器件，具有信號放大和開關功能，是現代電子學的基石。此處特指雙極結型晶體管。

綜合解釋： “矽擴散晶膜凸型電晶體”指的是一種采用擴散摻雜工藝在單晶矽襯底上制造、具有台面（Mesa）幾何結構特征的雙極結型晶體管。其制造核心是高溫擴散雜質以形成PN結，并通過台面蝕刻工藝定義器件的有源區域和實現電學隔離。這種結構在晶體管發展早期（如1950-60年代）非常普遍，為高頻應用（如早期計算機、通信設備）提供了可行的解決方案，是半導體技術演進過程中的一個重要裡程碑。

參考來源類型：

專業電子工程詞典/百科 (如：Wikipedia - "Transistor", "Silicon")
半導體器件物理與制造經典教材 (如：S. M. Sze - "Physics of Semiconductor Devices", "Semiconductor Devices: Physics and Technology")
電子技術史文獻 (如：IEEE曆史相關出版物，電子工程曆史網站)
早期晶體管技術專利或技術報告 (如：Bell Labs Technical Journal 相關文章)

網絡擴展解釋

“矽擴散晶膜凸型電晶體”是一個涉及半導體器件的專業術語，可拆解為以下幾個部分進行解釋：

矽（Silicon）
矽是半導體制造中最常用的材料，因其良好的電學特性和穩定性，廣泛應用于晶體管、集成電路等領域。
擴散（Diffusion）
指在高溫下将雜質原子（如磷、硼）引入矽片中的工藝，通過控制雜質分布形成PN結或其他功能區域。這一步驟對晶體管的電學性能至關重要。
晶膜（Crystal Film）
可能指通過外延生長或氧化工藝在矽基底上形成的單晶/多晶薄膜層，用于構建器件的不同結構（如絕緣層或導電層）。
凸型（Mesa）
一種晶體管結構，通過蝕刻工藝在半導體表面形成類似“台地”的凸起區域，以隔離不同元件并減少漏電流。這種結構常見于早期高頻或高功率器件中。
電晶體（Transistor）
台灣地區對“晶體管”的稱呼，是一種用于放大或開關電信號的半導體器件。

綜合解釋：該術語描述的是一種采用矽材料、通過擴散工藝摻雜雜質，并在表面形成晶膜層及凸型結構的晶體管。其設計可能旨在優化高頻性能或耐壓能力，常見于特定曆史時期的半導體技術中。

由于搜索結果信息有限，建議結合權威半導體器件文獻進一步确認具體工藝細節。