硅扩散晶膜凸型电晶体英文解释翻译、硅扩散晶膜凸型电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 silicon ifffused epitaxial mesa transistor

分词翻译：

硅的英语翻译：

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

晶膜的英语翻译：

【电】 epitaxial

凸型电晶体的英语翻译：

【电】 mesa transistor

专业解析

硅扩散晶膜凸型电晶体（Silicon Diffused Mesa Transistor）是一种早期重要的半导体器件，其名称可拆解并从汉英词典角度解释如下：

硅 (Silicon)：
- 指制造该晶体管所用的基础半导体材料。硅因其良好的半导体特性（如合适的带隙、储量丰富、易于提纯和形成稳定的氧化物）成为晶体管和集成电路的主要材料。
扩散 (Diffused)：
- 指该晶体管的核心制造工艺——扩散掺杂。在此工艺中，将硅晶圆置于高温环境中，并引入特定的杂质原子（如硼或磷）。这些杂质原子在高温下扩散进入硅晶圆表层，改变其电导类型（形成P型或N型区域），从而在硅中精确构建出晶体管所需的PN结（如发射结和集电结）。这是早期双极结型晶体管（BJT）制造的关键步骤。
晶膜 (Crystal Film / Epitaxial Layer - 此处更倾向指晶体本身或晶圆)：
- 此处的“晶膜”并非现代半导体工艺中常指的独立“薄膜”。在早期晶体管语境下，它更可能指代单晶硅基片或晶圆本身，即进行扩散工艺的基底材料。它强调晶体结构的完整性对器件性能至关重要。有时也可能指代在基片上生长的外延层（Epitaxial Layer），但“扩散晶膜”组合更强调在单晶硅基体上进行扩散。
凸型 (Mesa)：
- 指该晶体管的物理结构形状。“Mesa”原意为“台地”或“平顶山”，形象地描述了这种晶体管的几何特征。在制造过程中，在完成扩散形成PN结后，通过选择性蚀刻（通常是化学蚀刻）去除晶体管区域周围的部分硅材料，使得包含PN结的有源器件区域像一个个凸起的平台（台面）一样孤立在硅片上。这种结构有助于减小结电容、提高频率性能，并便于后续的电极连接和封装。这是区别于“平面型”晶体管的关键结构特征。
电晶体 (Transistor)：
- 即晶体管的通用中文译名。它是一种利用半导体材料特性制成的三端（基极、发射极、集电极）有源电子器件，具有信号放大和开关功能，是现代电子学的基石。此处特指双极结型晶体管。

综合解释： “硅扩散晶膜凸型电晶体”指的是一种采用扩散掺杂工艺在单晶硅衬底上制造、具有台面（Mesa）几何结构特征的双极结型晶体管。其制造核心是高温扩散杂质以形成PN结，并通过台面蚀刻工艺定义器件的有源区域和实现电学隔离。这种结构在晶体管发展早期（如1950-60年代）非常普遍，为高频应用（如早期计算机、通信设备）提供了可行的解决方案，是半导体技术演进过程中的一个重要里程碑。

参考来源类型：

专业电子工程词典/百科 (如：Wikipedia - "Transistor", "Silicon")
半导体器件物理与制造经典教材 (如：S. M. Sze - "Physics of Semiconductor Devices", "Semiconductor Devices: Physics and Technology")
电子技术史文献 (如：IEEE历史相关出版物，电子工程历史网站)
早期晶体管技术专利或技术报告 (如：Bell Labs Technical Journal 相关文章)

网络扩展解释

“硅扩散晶膜凸型电晶体”是一个涉及半导体器件的专业术语，可拆解为以下几个部分进行解释：

硅（Silicon）
硅是半导体制造中最常用的材料，因其良好的电学特性和稳定性，广泛应用于晶体管、集成电路等领域。
扩散（Diffusion）
指在高温下将杂质原子（如磷、硼）引入硅片中的工艺，通过控制杂质分布形成PN结或其他功能区域。这一步骤对晶体管的电学性能至关重要。
晶膜（Crystal Film）
可能指通过外延生长或氧化工艺在硅基底上形成的单晶/多晶薄膜层，用于构建器件的不同结构（如绝缘层或导电层）。
凸型（Mesa）
一种晶体管结构，通过蚀刻工艺在半导体表面形成类似“台地”的凸起区域，以隔离不同元件并减少漏电流。这种结构常见于早期高频或高功率器件中。
电晶体（Transistor）
台湾地区对“晶体管”的称呼，是一种用于放大或开关电信号的半导体器件。

综合解释：该术语描述的是一种采用硅材料、通过扩散工艺掺杂杂质，并在表面形成晶膜层及凸型结构的晶体管。其设计可能旨在优化高频性能或耐压能力，常见于特定历史时期的半导体技术中。

由于搜索结果信息有限，建议结合权威半导体器件文献进一步确认具体工艺细节。