表面溝道英文解釋翻譯、表面溝道的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 surface channel

分詞翻譯：

表面的英語翻譯：

surface; exterior; facade
【化】 surface
【醫】 superficies; surface

溝道的英語翻譯：

【計】 P-channel

專業解析

表面溝道（Surface Channel）是半導體器件物理中的一個核心概念，特指在半導體器件（尤其是MOSFET，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）表面形成的導電通道。以下是基于專業術語的漢英對照解析：

一、中文術語解析：表面溝道

定義

在MOSFET結構中，當栅極施加足夠電壓時，半導體表面（通常是矽與二氧化矽絕緣層的界面）會形成一層反型層（Inversion Layer）。這一薄層因載流子（電子或空穴）聚集而具備導電能力，稱為"表面溝道"。其導電特性直接控制器件的開關與放大功能。

核心特征

位置：半導體/絕緣介質界面（如Si/SiO₂界面）
形成機制：栅壓誘導的電場使襯底載流子向表面遷移
類型：N溝道（電子導電）或P溝道（空穴導電）

二、英文術語解析：Surface Channel

定義

A conductive path formed at the interface between a semiconductor (e.g., silicon) and an insulating layer (e.g., silicon dioxide) under gate voltage bias. It serves as the primary current-carrying channel in MOSFETs.

關鍵特性

載流子類型：
- N-channel: Electrons as majority carriers
- P-channel: Holes as majority carriers
控制機制：溝道電導率由栅源電壓（V~GS~）直接調制，滿足：
$$ ID = mu C{ox} frac{W}{L} left( (V{GS} - V{th})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right) $$

其中 μ 為載流子遷移率，C~ox~ 為栅氧化層電容，V~th~ 為阈值電壓。

三、技術意義與應用

器件性能核心
溝道載流子遷移率（μ）直接影響器件開關速度與能效。表面散射效應會限制遷移率，是納米級器件優化的關鍵挑戰。

與埋溝道對比
區别于埋溝道器件（如JFET），表面溝道易受界面缺陷影響，但可通過高κ介質/金屬栅技術優化界面質量。

現代工藝演進
在FinFET與GAA晶體管中，表面溝道演變為三維結構，通過增強栅控能力抑制短溝道效應。

四、權威參考文獻

經典教材
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, 1981) – 定義MOSFET表面反型層形成機制。

行業白皮書
IEEE IRDS™ Roadmap for Semiconductor Devices (2023) – 分析表面溝道在3nm以下節點的技術挑戰。

學術綜述
Y. Taur et al., "CMOS Scaling into the Nanometer Regime" (Proc. IEEE, 1997) – 闡述溝道工程對器件微縮的影響。

（注：因平台限制未提供直接鍊接，文獻信息可通過學術數據庫檢索獲取）

網絡擴展解釋

“表面溝道”一詞在不同領域有不同解釋，以下是綜合多個來源的詳細說明：

一、基礎釋義

物理形态的溝道
指物體表面低凹如溝狀的紋路或通道，常見于自然地貌或人工雕刻。例如：碑刻中的陰文線槽（），或地理上的溝渠結構。
電子學中的溝道
在場效應晶體管（如MOSFET）中，表面溝道特指半導體表面形成的導電通道。當栅極施加電壓時，會在半導體與絕緣層界面誘導出載流子，形成導電通路，控制源極和漏極間的電流（）。

二、具體應用場景

碑刻領域：北碑與南碑的雕刻差異中，深刻的陰文線槽被稱為“溝道”（）。
半導體器件：表面溝道是晶體管的核心結構，直接影響器件導電性能，常見于集成電路設計（）。

三、補充說明

若涉及更專業的工程或材料科學領域，可能需結合具體上下文進一步分析。例如，在微電子工藝中，表面溝道的優化對降低功耗、提升器件速度至關重要。

如需更深入的技術定義，建議參考電子工程或材料學專業文獻。