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寄生參數英文解釋翻譯、寄生參數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 parasitic parameter

相關詞條:

1.strayparameter  

分詞翻譯:

寄的英語翻譯:

depend on; entrust; mail; post; send

生的英語翻譯:

accrue; crude; rawness; unripe; give birth to; grow; living; procreate
student
【醫】 bio-

參數的英語翻譯:

parameter
【計】 argument
【醫】 parameter
【經】 parameter

專業解析

在電子工程領域,"寄生參數"(英文:Parasitic Parameter)指電路或元器件中非人為設計、由物理結構或材料特性意外産生的電學參數。這些參數并非電路設計的初衷,卻客觀存在并對電路性能産生顯著影響。其核心特征在于"寄生性"——如同生物寄生關系,它們依附于主體(如導線、器件、基闆)而存在,且通常對電路性能産生負面幹擾。

一、寄生參數的本質與成因

  1. 非理想物理特性:理想電路元件(電阻、電容、電感)在現實中不存在。實際導體存在電阻和電感,導體間絕緣介質存在電容,半導體器件内部結構會引入額外電容或電阻。這些物理結構的固有屬性構成了寄生參數的基礎。
  2. 高頻效應凸顯:在低頻電路中,寄生參數影響較小常被忽略;但在高頻(如射頻、高速數字電路)或精密模拟電路中,其影響急劇放大,成為制約性能的關鍵因素。

二、主要類型及影響

  1. 寄生電容(Parasitic Capacitance):
    • 定義:導體之間、導體與地之間或器件内部結構(如晶體管PN結)形成的非預期電容。
    • 來源:平行導線、芯片引腳與焊盤、PCB走線間、器件封裝内部。
    • 影響:導緻信號延遲(RC延遲)、降低電路帶寬、引起信號串擾(Crosstalk)、造成放大器振蕩。
  2. 寄生電感(Parasitic Inductance):
    • 定義:導線、引腳、封裝引線等電流路徑因自身物理長度和結構形成的非預期電感。
    • 來源:長導線、元件引腳、PCB過孔、電源/地平面環路。
    • 影響:産生感應電壓($V = L frac{di}{dt}$),導緻電壓尖峰、電源噪聲、信號完整性劣化(如振鈴)、降低去耦電容有效性。
  3. 寄生電阻(Parasitic Resistance):
    • 定義:導體材料(如導線、鍵合線、半導體溝道)本身固有的非預期電阻。
    • 來源:金屬走線電阻、接觸電阻、半導體體電阻。
    • 影響:引起信號衰減(IR壓降)、産生熱噪聲(Johnson-Nyquist噪聲)、降低功率效率、影響傳感器精度。

三、相關概念與重要性

權威參考來源:

網絡擴展解釋

寄生參數是電子工程領域的核心概念,指在電路設計或元器件中非人為引入的附加電氣參數,主要包括電阻、電容和電感三種類型。以下從定義、來源、分類及影響四個維度進行解析:

1. 定義與特性 寄生參數并非電路設計的預期參數,而是由物理結構、材料特性或布局布線等客觀因素自然産生的非理想參數。例如MOS管中除基本電氣特性外,制造工藝和封裝方式會引入額外參數。

2. 主要來源

3. 分類與表現 | 類型 | 産生機理| 典型影響場景| |------------|-----------------------------------|---------------------------| | 寄生電容 | 導體間絕緣層/互容效應(如MOS管極間)| 高頻信號衰減| | 寄生電感 | 導線環路/鍵合線電感(如栅源極引腳) | 栅極振鈴現象| | 寄生電阻 | 導體材料阻抗/接觸電阻 | 功率損耗與溫升|

4. 實際影響 在功率器件中,寄生電感(L)通過公式$U=Lcdot frac{di}{dt}$産生感應電壓,當開關速度(di/dt)提升時,栅極振鈴現象加劇。集成電路設計中,寄生電容會導緻信號延遲達皮秒級,影響時序精度。

該現象普遍存在于高頻電路、功率電子等領域,工程師需通過三維電磁仿真、版圖優化等手段進行參數提取和抑制。

分類

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