晶體管存儲電路英文解釋翻譯、晶體管存儲電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor storage circuit

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【計】 memory circuit

晶體管存儲電路（Transistor Memory Circuit）是一種基于半導體器件實現數據存儲功能的電子系統，其核心原理利用晶體管開關特性控制電荷狀态以保存二進制信息。該技術廣泛應用于現代計算機内存、固态存儲設備及嵌入式系統，其設計融合了微電子學與數字電路理論。

1. 基本結構與定義

晶體管存儲電路通常由雙穩态觸發器（Bistable Flip-Flop）構成，通過兩個交叉耦合的晶體管形成穩定狀态，分别代表邏輯“0”和“1”。例如靜态隨機存取存儲器（SRAM）采用6個晶體管（6T結構）實現單比特存儲，具有高速讀寫特性，常用于CPU緩存。

2. 工作原理

數據存儲依賴晶體管的導通與截止狀态：

3. 技術演變

從1950年代雙極型晶體管存儲器發展到當代CMOS工藝，存儲密度提升超過10倍。2024年三維堆疊晶體管技術已實現單芯片1Tb容量，功耗降低至5nW/bit。

4. 典型應用

注：參考文獻來源于IEEE固态電路期刊、MIT開放式課程《微電子器件與電路》及《半導體存儲技術白皮書》（2024版）。

晶體管存儲電路是指利用晶體管的物理特性實現數據存儲功能的電子電路。其核心原理是通過控制晶體管的開關狀态或電荷存儲來記錄二進制信息（0或1）。以下是兩種典型的實現方式及工作原理：

通過将晶體管組合成鎖存器（如SRAM），利用交叉耦合的反相器結構保持穩定狀态。例如：

動态存儲（DRAM）
使用單個晶體管與小電容組合，電容存儲電荷代表1，無電荷代表0。由于電荷會洩漏，需定期刷新電路補充電荷。
非易失性存儲（如閃存）
在晶體管氧化層中嵌入浮栅，通過量子隧穿效應注入或釋放電子：
- 電子 trapped 在浮栅時改變阈值電壓，可區分0/1狀态
- 數據斷電後仍能保存，適用于U盤、SSD等設備。

晶體管存儲電路是現代計算機内存（如RAM、ROM）和存儲設備（如SSD）的核心技術基礎，其微型化發展直接推動了摩爾定律的實現。