晶体管存储电路英文解释翻译、晶体管存储电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor storage circuit

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【计】 memory circuit

晶体管存储电路（Transistor Memory Circuit）是一种基于半导体器件实现数据存储功能的电子系统，其核心原理利用晶体管开关特性控制电荷状态以保存二进制信息。该技术广泛应用于现代计算机内存、固态存储设备及嵌入式系统，其设计融合了微电子学与数字电路理论。

1. 基本结构与定义

晶体管存储电路通常由双稳态触发器（Bistable Flip-Flop）构成，通过两个交叉耦合的晶体管形成稳定状态，分别代表逻辑“0”和“1”。例如静态随机存取存储器（SRAM）采用6个晶体管（6T结构）实现单比特存储，具有高速读写特性，常用于CPU缓存。

2. 工作原理

数据存储依赖晶体管的导通与截止状态：

3. 技术演变

从1950年代双极型晶体管存储器发展到当代CMOS工艺，存储密度提升超过10倍。2024年三维堆叠晶体管技术已实现单芯片1Tb容量，功耗降低至5nW/bit。

4. 典型应用

注：参考文献来源于IEEE固态电路期刊、MIT开放式课程《微电子器件与电路》及《半导体存储技术白皮书》（2024版）。

晶体管存储电路是指利用晶体管的物理特性实现数据存储功能的电子电路。其核心原理是通过控制晶体管的开关状态或电荷存储来记录二进制信息（0或1）。以下是两种典型的实现方式及工作原理：

通过将晶体管组合成锁存器（如SRAM），利用交叉耦合的反相器结构保持稳定状态。例如：

动态存储（DRAM）
使用单个晶体管与小电容组合，电容存储电荷代表1，无电荷代表0。由于电荷会泄漏，需定期刷新电路补充电荷。
非易失性存储（如闪存）
在晶体管氧化层中嵌入浮栅，通过量子隧穿效应注入或释放电子：
- 电子 trapped 在浮栅时改变阈值电压，可区分0/1状态
- 数据断电后仍能保存，适用于U盘、SSD等设备。

晶体管存储电路是现代计算机内存（如RAM、ROM）和存储设备（如SSD）的核心技术基础，其微型化发展直接推动了摩尔定律的实现。