徑迹蝕刻英文解釋翻譯、徑迹蝕刻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 track etching

分詞翻譯：

徑迹的英語翻譯：

track
【化】 spur
【醫】 track

蝕刻的英語翻譯：

etch
【化】 etching

專業解析

徑迹蝕刻（track etching）是核物理與材料科學交叉領域的專業技術術語，指通過化學試劑對高能帶電粒子在絕緣材料中形成的潛徑迹進行選擇性蝕刻，使其成為顯微鏡下可觀測的微米級孔道。該技術基于粒子穿透材料時造成的局部電離損傷，蝕刻液優先溶解受損區域形成可見軌迹，其直徑和形狀與粒子種類、能量及蝕刻條件相關。

從原理分析，徑迹蝕刻包含三個核心階段：①重離子束輻照聚碳酸酯、雲母等固體探測器材料；②酸堿溶液（如NaOH或HF）選擇性蝕刻産生錐形孔道；③通過電子顯微鏡測量孔徑與深度，反推粒子能量與入射角度。國際原子能機構（IAEA）技術報告指出，該方法在環境輻射監測、宇宙射線研究及膜分離技術開發中具有獨特優勢。

在應用層面，該技術已衍生出徑迹蝕刻膜（track-etched membranes），其單分散孔道特性被廣泛應用于水處理、生物醫學過濾和電池隔膜制造。美國材料試驗協會（ASTM）F658标準詳細規定了徑迹蝕刻膜的孔徑分布測試方法，佐證了該技術在工業标準化中的成熟地位。

網絡擴展解釋

“徑迹蝕刻”是一個複合詞，需拆解為“徑迹”和“蝕刻”兩部分理解，并結合技術背景綜合解釋：

一、詞義分解

徑迹
指高能粒子（如α粒子、裂變碎片等）穿透材料時留下的微觀軌迹。這種軌迹本質上是粒子與材料相互作用造成的輻射損傷通道。
蝕刻
通過化學或物理方法選擇性去除材料表面特定區域的過程。常用硝酸等試劑腐蝕金屬或高分子材料，形成圖案或微結構。

二、技術原理

徑迹蝕刻是核技術與化學加工結合的工藝，包含兩階段：

徑迹形成：用核反應堆中子輻照含鈾材料，鈾-235裂變産生高能碎片，穿透高分子薄膜（如聚碳酸酯）形成損傷徑迹。
蝕刻擴孔：用強氧化性溶液（如氫氧化鈉）腐蝕損傷區域，将納米級徑迹擴大為微米級圓柱孔，形成可控孔徑的核孔膜。

三、核心特點

孔徑可控：通過調節輻照強度、蝕刻時間與溫度，可精确控制孔密度（10⁴~10⁸孔/cm²）和孔徑（0.01~20μm）。
高均勻性：孔道呈圓柱形且分布均勻，優于傳統濾膜。
應用廣泛：用于水處理、生物分離、微電子器件等領域。

四、補充說明

分類：蝕刻可分為濕法（化學溶液腐蝕）和幹法（等離子體蝕刻），徑迹蝕刻多屬濕法。
曆史背景：該技術起源于20世紀60年代核探測需求，後拓展至工業領域。

如需進一步了解具體應用案例或參數優化方法，可參考核技術期刊或材料工程手冊。