擴散接面晶體管英文解釋翻譯、擴散接面晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused-junction transistor

【電】 diffused junction

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

擴散接面晶體管（Diffused Junction Transistor）是一種利用半導體材料擴散工藝制造的具有兩個PN結的三端有源器件，屬于雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的一種重要實現方式。其核心含義和關鍵特征如下：

擴散工藝形成結：通過高溫擴散工藝，将特定雜質（如硼、磷）滲入半導體晶片（通常是鍺或矽），精确控制摻雜濃度和結深，形成發射結（Emitter Junction）和集電結（Collector Junction）。這種工藝可實現高精度、可重複的結特性，是現代平面晶體管技術的基礎。
三層結構：由三層交替摻雜的半導體區域構成：
- 發射區（Emitter）：重摻雜，提供多數載流子（NPN型為電子，PNP型為空穴）。
- 基區（Base）：薄且輕摻雜，控制載流子輸運。
- 集電區（Collector）：輕摻雜，收集載流子并輸出電流。

擴散接面晶體管通過基極電流控制集電極-發射極電流，實現信號放大或開關功能：

擴散結的結深 ( x_j ) 與擴散時間 ( t ) 滿足： $$ x_j = sqrt{Dt} $$ 其中 ( D ) 為雜質擴散系數，該公式體現了工藝對器件性能的控制邏輯。

權威參考來源

Sze, S. M., & Ng, K. K. (2007). Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). Wiley.
Streetman, B. G., & Banerjee, S. (2016). Solid State Electronic Devices (7th ed.). Pearson.
半導體器件制造工藝标準 IEEE Transactions on Electron Devices.
貝爾實驗室技術報告 The Bell System Technical Journal (1950s-1960s).

擴散接面晶體管（diffused-junction transistor）是一種通過擴散工藝制造半導體接面的晶體管。以下從結構、工藝和應用三方面詳細解釋：

核心定義與結構
擴散接面晶體管屬于半導體器件，其核心結構是通過擴散工藝形成的PN結（即“擴散接面”）。這種接面通過高溫下将摻雜劑擴散到半導體基材中形成，而非傳統的合金法或外延生長法。其功能與普通晶體管類似，可實現電流放大、開關控制等操作。
制造工藝特點
- 擴散法優勢：通過控制摻雜劑濃度和擴散時間，能精确調節接面深度和電學特性，適用于高頻、高功率場景。
- 工藝發展：隨着制程技術進步，類似工藝曾被用于突破物理極限。例如，2016年勞倫斯伯克利實驗室團隊将晶體管制程從14nm縮減到1nm，展示了擴散等精密工藝的潛力。
應用場景
主要應用于早期集成電路和分立器件，尤其在需要穩定高頻性能的領域（如無線電通信設備）。現代晶體管雖多采用更先進的CMOS工藝，但擴散工藝仍是半導體制造的基礎技術之一。

如需進一步了解晶體管工作原理或制程演進，可參考半導體物理相關文獻或行業技術白皮書。