扩散接面晶体管英文解释翻译、扩散接面晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused-junction transistor

【电】 diffused junction

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

扩散接面晶体管（Diffused Junction Transistor）是一种利用半导体材料扩散工艺制造的具有两个PN结的三端有源器件，属于双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的一种重要实现方式。其核心含义和关键特征如下：

扩散工艺形成结：通过高温扩散工艺，将特定杂质（如硼、磷）渗入半导体晶片（通常是锗或硅），精确控制掺杂浓度和结深，形成发射结（Emitter Junction）和集电结（Collector Junction）。这种工艺可实现高精度、可重复的结特性，是现代平面晶体管技术的基础。
三层结构：由三层交替掺杂的半导体区域构成：
- 发射区（Emitter）：重掺杂，提供多数载流子（NPN型为电子，PNP型为空穴）。
- 基区（Base）：薄且轻掺杂，控制载流子输运。
- 集电区（Collector）：轻掺杂，收集载流子并输出电流。

扩散接面晶体管通过基极电流控制集电极-发射极电流，实现信号放大或开关功能：

扩散结的结深 ( x_j ) 与扩散时间 ( t ) 满足： $$ x_j = sqrt{Dt} $$ 其中 ( D ) 为杂质扩散系数，该公式体现了工艺对器件性能的控制逻辑。

权威参考来源

Sze, S. M., & Ng, K. K. (2007). Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). Wiley.
Streetman, B. G., & Banerjee, S. (2016). Solid State Electronic Devices (7th ed.). Pearson.
半导体器件制造工艺标准 IEEE Transactions on Electron Devices.
贝尔实验室技术报告 The Bell System Technical Journal (1950s-1960s).

扩散接面晶体管（diffused-junction transistor）是一种通过扩散工艺制造半导体接面的晶体管。以下从结构、工艺和应用三方面详细解释：

核心定义与结构
扩散接面晶体管属于半导体器件，其核心结构是通过扩散工艺形成的PN结（即“扩散接面”）。这种接面通过高温下将掺杂剂扩散到半导体基材中形成，而非传统的合金法或外延生长法。其功能与普通晶体管类似，可实现电流放大、开关控制等操作。
制造工艺特点
- 扩散法优势：通过控制掺杂剂浓度和扩散时间，能精确调节接面深度和电学特性，适用于高频、高功率场景。
- 工艺发展：随着制程技术进步，类似工艺曾被用于突破物理极限。例如，2016年劳伦斯伯克利实验室团队将晶体管制程从14nm缩减到1nm，展示了扩散等精密工艺的潜力。
应用场景
主要应用于早期集成电路和分立器件，尤其在需要稳定高频性能的领域（如无线电通信设备）。现代晶体管虽多采用更先进的CMOS工艺，但扩散工艺仍是半导体制造的基础技术之一。

如需进一步了解晶体管工作原理或制程演进，可参考半导体物理相关文献或行业技术白皮书。