擴散電容英文解釋翻譯、擴散電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffusion capacitance

enlarge; expand; extend; spread

【計】 spurious capacitance

擴散電容（Diffusion Capacitance）是半導體器件中的一種電荷存儲效應，其英文對應術語為"Diffusion Capacitance"。該現象主要存在于正向偏置的PN結或雙極型晶體管（BJT）中，由載流子擴散過程中的電荷積累所形成。

擴散電容來源于少數載流子在擴散過程中的時間延遲。當外加電壓變化時，P區空穴向N區擴散（或N區電子向P區擴散）的速率會改變，導緻中性區邊界附近出現電荷堆積，從而産生電容效應。其數學表達式為：

C_d = frac{tau cdot I}{V_T}

其中τ為少數載流子壽命，I為正向電流，V_T為熱電壓（約26mV@300K）。

在高速開關電路和射頻器件中，擴散電容會與勢壘電容（Depletion Capacitance）共同影響器件的頻率響應特性。例如，在BJT放大器中，擴散電容會限制晶體管的高頻增益（數據支持：MIT微電子實驗室公開課資料）。

該效應與勢壘電容的關鍵區别在于：擴散電容在正向偏置時占主導，而勢壘電容在反向偏置時更顯著（對比分析參考：加州大學伯克利分校EE130課程講義）。

擴散電容是半導體器件（如PN結二極管、晶體管）中的一種電容效應，主要與載流子的擴散和積累過程相關。以下是詳細解釋：

擴散電容是由于PN結正向偏置時，載流子在P區和N區的擴散過程中形成濃度梯度，導緻電荷積累而産生的電容效應。

正向偏置時：多數載流子（如P區的空穴、N區的電子）跨過結區擴散到對方區域，在邊界附近形成非平衡載流子的積累。這種積累的電荷量會隨外加電壓的變化而變化，從而表現出電容特性。

擴散電容是PN結電容的兩大組成部分之一，另一部分是勢壘電容：

擴散電容本質上是載流子動态分布導緻的電荷存儲效應，是半導體器件在正向導通時的重要參數。它與器件的材料特性、偏置條件及工作頻率密切相關，理解其機制對優化電子電路設計至關重要。