扩散电容英文解释翻译、扩散电容的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffusion capacitance

enlarge; expand; extend; spread

【计】 spurious capacitance

扩散电容（Diffusion Capacitance）是半导体器件中的一种电荷存储效应，其英文对应术语为"Diffusion Capacitance"。该现象主要存在于正向偏置的PN结或双极型晶体管（BJT）中，由载流子扩散过程中的电荷积累所形成。

扩散电容来源于少数载流子在扩散过程中的时间延迟。当外加电压变化时，P区空穴向N区扩散（或N区电子向P区扩散）的速率会改变，导致中性区边界附近出现电荷堆积，从而产生电容效应。其数学表达式为：

C_d = frac{tau cdot I}{V_T}

其中τ为少数载流子寿命，I为正向电流，V_T为热电压（约26mV@300K）。

在高速开关电路和射频器件中，扩散电容会与势垒电容（Depletion Capacitance）共同影响器件的频率响应特性。例如，在BJT放大器中，扩散电容会限制晶体管的高频增益（数据支持：MIT微电子实验室公开课资料）。

该效应与势垒电容的关键区别在于：扩散电容在正向偏置时占主导，而势垒电容在反向偏置时更显著（对比分析参考：加州大学伯克利分校EE130课程讲义）。

扩散电容是半导体器件（如PN结二极管、晶体管）中的一种电容效应，主要与载流子的扩散和积累过程相关。以下是详细解释：

扩散电容是由于PN结正向偏置时，载流子在P区和N区的扩散过程中形成浓度梯度，导致电荷积累而产生的电容效应。

正向偏置时：多数载流子（如P区的空穴、N区的电子）跨过结区扩散到对方区域，在边界附近形成非平衡载流子的积累。这种积累的电荷量会随外加电压的变化而变化，从而表现出电容特性。

扩散电容是PN结电容的两大组成部分之一，另一部分是势垒电容：

扩散电容本质上是载流子动态分布导致的电荷存储效应，是半导体器件在正向导通时的重要参数。它与器件的材料特性、偏置条件及工作频率密切相关，理解其机制对优化电子电路设计至关重要。