月沙工具箱
現在位置:月沙工具箱 > 學習工具 > 漢英詞典

跨導納壓縮比英文解釋翻譯、跨導納壓縮比的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 transadmittance compression ratio

分詞翻譯:

跨導納的英語翻譯:

【電】 transadmittance

壓縮比的英語翻譯:

【化】 reduction ratio

專業解析

跨導納壓縮比(Transconductance Compression Ratio)是電子工程中用于描述放大器或晶體管非線性特性的參數,特指器件在小信號與大信號工作狀态下跨導值(Transconductance)的衰減比率。以下是詳細解釋:

一、術語定義

  1. 跨導納(Transconductance)

    符號為 ( g_m ),定義為輸出電流變化量與輸入電壓變化量的比值:

    $$

    gm = frac{partial I{text{out}}}{partial V_{text{in}}}

    $$

    單位為西門子(S),用于衡量器件的電壓-電流轉換效率。

  2. 壓縮比(Compression Ratio)

    指器件在大信號輸入時跨導值 ( gm ) 相對于小信號線性區跨導值 ( g{m0} ) 的衰減程度:

    $$

    text{壓縮比} = frac{g{m, text{大信號}}}{g{m0}}

    $$

    該比值通常小于1,反映器件非線性失真程度。

二、物理意義

跨導納壓縮比直接關聯器件(如MOSFET、HEMT)的線性度:

三、應用場景

  1. 射頻電路設計

    壓縮比用于評估功率放大器的交調失真(IMD)和效率,高壓縮比需犧牲線性度換取輸出功率。

  2. 半導體建模

    在SPICE模型中,通過跨導壓縮曲線拟合器件的非線性行為(如BSIM4模型中的 ( g_m ) 衰減參數)。

權威參考文獻

  1. IEEE Xplore文獻庫

    射頻器件非線性分析:

    IEEE Xplore: Transconductance Compression in GaN HEMTs

  2. ScienceDirect學術數據庫

    半導體器件物理模型:

    ScienceDirect: MOSFET Transconductance Degradation

(注:以上鍊接為示例格式,實際引用需替換為具體文獻的DOI鍊接)

網絡擴展解釋

“跨導納壓縮比”這一術語在常規技術文獻或工程領域中并不常見,可能是由“跨導納”和“壓縮比”組合而成的特定場景下的表述。以下結合不同領域的定義進行推測性解釋:


1.分解術語


2.可能的組合含義

若将兩者結合,可能指向以下場景:


3.注意事項

由于該術語缺乏标準定義,建議根據實際應用場景進一步确認。若涉及學術論文或特定設備,需參考其上下文定義。對于數據壓縮或發動機壓縮比等常見領域,可查看來源獲取詳細參數。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

阿達果耳鞍形管夾表達式标準電壓産生器部份保險察看大腦皮層單分子酸催化烷氧斷裂單堿的電荷耦合内存定義标量二極閘腹側的怪僻黑灰虹膜移位急劇增加量子計算機硫酸分離器硫酸酯酶嗎乙氧苯面動脈囊狀骨營養不良偶數間條掃描盤存錯誤說明土壤膿杆菌罔上支