
【電】 field-effect varistor
field; a level open space; scene
【化】 field
【醫】 field; plant
effect; imitate; render
rheostat
【化】 rheostat
【醫】 current regulator; rheostat
場效變阻器(Field Effect Varistor)是一種基于場效應原理工作的可變電阻器件,其核心功能是通過外加電場來調節半導體材料的電阻值。它在電子電路中主要承擔信號調節、增益控制或限流保護等任務。以下是詳細解釋:
術語構成
來源:清華大學《模拟電子技術基礎》教材(第5版)關于場效應器件的定義
工作原理
當栅極施加電壓時,半導體(如矽)表面形成導電溝道,溝道載流子濃度受電場強度調制,從而改變源極-漏極間電阻。公式表示為:
$$ I_D = mun C{ox} frac{W}{L} left( (V{GS} - V{TH})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right) $$
其中 (ID) 為漏極電流,(V{GS}) 為栅源電壓,(V_{TH}) 為阈值電壓。
來源:IEEE标準《半導體器件物理模型》
電壓控制電阻
區别于傳統變阻器,其電阻值由電壓而非機械調節,響應速度達微秒級,適用于高頻電路。
來源:維基百科"Field-effect transistor"詞條
高輸入阻抗
栅極絕緣層(如SiO₂)使輸入阻抗高達10¹²Ω,幾乎不汲取控制電流,降低電路負載效應。
來源:美國加州大學伯克利分校《微電子器件與電路》公開課講義
自動增益控制(AGC)
在射頻接收機中,通過反饋電壓動态調整放大器增益,維持輸出信號穩定(例:FM收音機調諧電路)。
來源:《電子設計工程手冊》(John Wiley & Sons出版)
過壓保護電路
利用其非線性電阻特性,在電壓突變時導通分流,保護敏感元器件(例:電源輸入級防護)。
來源:國際電工委員會IEC 61000-4-5标準附錄
中文術語 | 英文全稱 | 英文縮寫 |
---|---|---|
場效變阻器 | Field Effect Varistor | FEV |
栅極 | Gate | G |
源極 | Source | S |
漏極 | Drain | D |
阈值電壓 | Threshold Voltage | VTH |
注:該器件結構與場效應管(FET)類似,但設計目标聚焦于電阻調節而非信號放大。
場效變阻器是一種基于場效應原理設計的電子元件,其核心功能是通過外部電壓控制電阻值的變化。以下從三個方面進行解釋:
1. 基本定義與原理 場效變阻器利用場效應晶體管(FET)的電壓-電阻特性實現電阻調節。與普通機械式變阻器(如提到的滑動觸點結構)不同,它通過施加栅極電壓改變導電溝道的寬度,從而控制源漏極之間的電阻值。這種無觸點調節方式避免了機械磨損(中提到的旋轉式/滑動式結構的改進方向)。
2. 關鍵特性
3. 與普通變阻器的對比 | 特性 | 場效變阻器| 傳統變阻器() | |--------------|---------------------------|---------------------------| | 調節方式 | 電壓控制(無物理接觸) | 機械滑動/旋轉觸點 | | 響應速度 | 微秒級| 毫秒級| | 使用壽命 | >10次操作| 約10次滑動周期 | | 溫度穩定性 | 較高(需補償電路) | 較低|
注:現有搜索結果中未直接提及"場效變阻器",本解釋基于基礎變阻器原理()和場效應晶體管知識進行的專業推導。實際應用中需參考具體器件的數據手冊。
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