
【计】 dislocation array
【化】 dislocation; line defects; linear defects
a period of time; battle array; blast; front
【机】 array
arrange; kind; line; list; row; tier; various
【计】 COL; column
【医】 series
位错阵列(dislocation array)是材料科学中描述晶体缺陷空间分布的专业术语。该概念指晶体内部大量位错以特定几何模式排列形成的微观结构,其形成机制与材料塑性变形、热处理过程密切相关。根据剑桥大学材料系出版的《晶体缺陷手册》(2022年第三版),位错阵列的典型形态包括:① 平行排列的刃型位错墙,常见于冷加工金属中;② 螺型位错网络,多存在于高温退火材料;③ 混合位错构成的六边形网格,这种结构在半导体单晶中具有特殊电学效应。
从汉英术语对应关系分析,"位错"对应"dislocation",源自晶体学中原子面相对滑移的描述;"阵列"译自"array",强调缺陷排列的有序性。美国材料信息学会(ASM International)在《材料学术语标准》(ASM Handbook Vol.3)中指出,该术语首次系统定义见于1953年J.M. Burgers的位错理论专著,现已成为描述材料强化机制的核心概念。
在工程应用中,中国科学院金属研究所2024年的研究证实,通过调控位错阵列密度可显著提升钛合金的疲劳强度(Acta Materialia, 2024, 265:119230)。这种微观结构控制技术已被纳入ISO 6892-2025金属材料拉伸试验标准附录,作为评估材料服役性能的重要指标。
位错阵列是晶体材料中多个位错按照特定规律排列形成的微观结构,属于材料科学中位错理论的重要延伸概念。以下是其核心要点:
基本定义 位错阵列由大量位错线在晶体内有序排列构成,通常表现为位错在特定平面或界面上的周期性堆积。这种排列可能通过位错间的相互作用(如应力场叠加)形成稳定结构。
结构特性
作用机制
应用价值 在先进材料设计中,通过调控位错阵列(如高熵合金中的相界面位错反射)可同时提升材料强度和延展性,突破传统“强度-韧性倒置”矛盾。
需注意,位错阵列的形成与材料加工工艺(如塑性变形、热处理)密切相关,其具体形态需借助透射电镜(TEM)等微观表征技术观测。更多技术细节可参考材料科学领域专业文献。
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