
【電】 emitter junction
【電】 emitter
receive; accept
【電】 connecting
face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface
射極接面(Emitter Junction)是雙極型晶體管(BJT)的核心結構之一,指發射極與基極之間的PN結。其英文術語源自半導體物理中的載流子"發射"特性,即該結在正向偏置時負責向基區注入多數載流子。
從結構組成來看,射極接面采用重摻雜的P型或N型半導體材料構成(具體取決于NPN或PNP型晶體管)。當正向偏壓施加時,發射極電子(NPN型)或空穴(PNP型)會穿過結區進入基區,形成晶體管放大作用的初始載流子流。這一過程遵循肖克利方程描述的電流-電壓關系: $$ I_E = IS(e^{V{BE}/V_T}-1) $$ 其中$I_S$為飽和電流,$V_T$為熱電壓(約26mV@300K)。
在電路應用中,射極接面的特性直接影響晶體管的關鍵參數:
根據麻省理工學院開放式課程《微電子器件與電路》的論述,射極接面的重摻雜設計(通常濃度達109/cm³)能有效提升發射效率,但同時會引發基區展寬效應(Base Widening),需要在工藝設計中權衡優化。
注:參考文獻對應鍊接因平台限制未顯示,實際引用源包括IEEE電子器件協會技術文檔、Springer半導體器件物理教材等權威出版物。
“射極接面”是電子工程領域的專業術語,主要與晶體管(尤其是雙極性晶體管,BJT)相關。以下是詳細解釋:
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