
【电】 emitter junction
【电】 emitter
receive; accept
【电】 connecting
face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface
射极接面(Emitter Junction)是双极型晶体管(BJT)的核心结构之一,指发射极与基极之间的PN结。其英文术语源自半导体物理中的载流子"发射"特性,即该结在正向偏置时负责向基区注入多数载流子。
从结构组成来看,射极接面采用重掺杂的P型或N型半导体材料构成(具体取决于NPN或PNP型晶体管)。当正向偏压施加时,发射极电子(NPN型)或空穴(PNP型)会穿过结区进入基区,形成晶体管放大作用的初始载流子流。这一过程遵循肖克利方程描述的电流-电压关系: $$ I_E = IS(e^{V{BE}/V_T}-1) $$ 其中$I_S$为饱和电流,$V_T$为热电压(约26mV@300K)。
在电路应用中,射极接面的特性直接影响晶体管的关键参数:
根据麻省理工学院开放式课程《微电子器件与电路》的论述,射极接面的重掺杂设计(通常浓度达109/cm³)能有效提升发射效率,但同时会引发基区展宽效应(Base Widening),需要在工艺设计中权衡优化。
注:参考文献对应链接因平台限制未显示,实际引用源包括IEEE电子器件协会技术文档、Springer半导体器件物理教材等权威出版物。
“射极接面”是电子工程领域的专业术语,主要与晶体管(尤其是双极性晶体管,BJT)相关。以下是详细解释:
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