【醫】 radiogallium
discharge in a jet; fire; insinuate; send out; shoot
【醫】 ray
gallium
【化】 gallium
【醫】 Ga; gallium
砷化镓（Gallium Arsenide，化學式：$text{GaAs}$）是一種由镓和砷元素組成的III-V族化合物半導體材料，在電子工程和光電子領域具有重要應用價值。其漢英對應釋義包含以下核心要點：
基礎屬性
砷化镓晶體屬于閃鋅礦結構，具有直接帶隙特性，帶隙寬度為1.42 eV（300K）。該材料在高溫和高頻條件下表現出優于矽的電子遷移率，典型值可達$8.5 times 10 , text{cm}/(text{V} cdot text{s})$（來源：《英漢科技大詞典》。
應用領域
主要應用于微波射頻器件（如HEMT晶體管）、紅外激光二極管、太陽能電池及光纖通信系統。其高頻特性使其成為5G通信基站和衛星通信模塊的核心材料（來源：材料科學學報。
性能優勢
相較于傳統矽基半導體，砷化镓器件在功率密度、噪聲系數和熱穩定性方面具有顯著優勢，尤其適用于毫米波頻段（30-300 GHz）的集成電路設計（來源：電子工程師協會标準文獻庫。
“射镓”可能是“砷化镓”或“氮化镓”的筆誤。這兩個均是重要的半導體材料，以下是具體解釋：
砷化镓（GaAs）
由镓和砷合成的化合物，具有高頻、耐高溫特性，常用于微波通信、衛星通信、激光二極管和太陽能電池。其電子遷移率比矽高，適合高頻電路。
氮化镓（GaN）
由镓和氮組成，耐高壓、耐高溫，廣泛應用于快充充電器、5G基站、LED照明和功率器件。相比傳統矽基材料，氮化镓器件效率更高、體積更小。
若您實際想詢問的是其他術語（如“射頻氮化镓”技術），或存在其他拼寫問題，請補充說明以便提供更精準的解答。
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