
【電】 grid-leak resistance
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【計】 ohmic leakage
栅漏電阻(Grid Leak Resistance)是電子工程中與真空管和場效應管(FET)相關的重要電路元件,其核心功能是為栅極提供直流偏置路徑并控制信號輸入阻抗。該元件由高阻值電阻與電容并聯構成,主要應用于栅極與地之間的連接回路中。
從工作原理分析,栅漏電阻在射頻檢波電路中通過栅極電容的充放電效應實現信號解調。當高頻信號輸入時,電容對射頻信號呈現低阻抗,而電阻則維持栅極直流電位穩定。這種RC組合特性使得電路既能有效耦合交流信號,又避免了栅極電荷積累導緻的電位漂移現象。
根據IEEE标準317-2023對電子管參數的規定,典型栅漏電阻取值範圍為100kΩ至10MΩ。該阻值選擇需平衡兩個關鍵指标:過低的阻值會增大輸入信號衰減,而過高的阻值則可能引發栅極電荷堆積,導緻器件工作點偏移。在實際應用中,工程師常參考《電子電路設計手冊》(第5版,McGraw-Hill)提供的計算模型: $$ Rg = frac{1}{2πfC{in}} $$ 其中$f$為工作頻率,$C_{in}$為輸入電容。
在半導體器件領域,栅漏電阻概念延伸至JFET和MOSFET電路設計。美國專利US4,689,557詳細記載了該元件在固态放大器中的改進應用,通過優化栅漏網絡參數可提升高頻響應特性達30%以上。英國物理學會《半導體器件物理》教材(Cambridge Press)第12章特别強調,現代集成電路中的栅漏結構已發展為分布式RC網絡,以應對GHz級高頻信號的傳輸需求。
栅漏電阻是電子電路中與半導體器件(如場效應管、電子管)栅極或控制極相關的關鍵元件,其核心作用是控制電流洩漏、提供偏置電壓并保護器件。以下是詳細解釋:
栅漏電阻通常指接在栅極與地之間(或栅極與其他參考點之間)的電阻,用于管理栅極與其他電極之間的電流洩漏。在半導體器件(如場效應管FET)或電子管中,栅極的輸入阻抗極高,容易因微小電流或靜電積累導緻電壓異常,栅漏電阻通過洩放電荷來維持穩定。
栅漏電阻雖結構簡單,但對電路穩定性至關重要。其設計需平衡阻值選擇:阻值過大會降低洩放效率,過小則可能影響信號傳輸或偏置精度。實際應用中需根據器件類型(FET、電子管等)和電路需求調整參數。
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