
【計】 deatructive storage; destructive storage
破壞性存儲器(Destructive Read Memory)指在讀取存儲數據時會導緻原始信息被清除或改變的存儲器類型。這類存儲器在讀取操作後必須通過額外的“重寫”步驟恢複數據,常見于早期計算機存儲技術中。
當數據被讀取時,存儲單元的物理狀态(如磁芯的磁化方向或電容電荷)會被強制複位,導緻原始數據丢失。例如磁芯存儲器(Core Memory)通過電流脈沖讀取數據,讀取後磁化狀态歸零需立即重寫。
每次讀取後需附加電路(如重寫放大器)自動恢複數據,增加系統複雜度和延遲。
使用鐵氧體磁環,通過X/Y導線施加電流改變磁化方向存儲數據。讀取時檢測感應電壓,同時磁芯狀态被重置,需在讀取周期内完成數據回寫。
現代DRAM雖非完全破壞性,但讀取時電容電荷會衰減,需刷新電路周期性重寫數據,繼承了破壞性存儲的設計邏輯。
特性 | 破壞性存儲器 | 非破壞性存儲器(如SRAM) |
---|---|---|
讀取後數據狀态 | 丢失或改變 | 保留完整 |
訪問速度 | 較慢(需重寫周期) | 快 |
功耗 | 較高(頻繁重寫) | 較低 |
典型應用 | 早期大型機主存 | 高速緩存 |
破壞性存儲器推動了計算機存儲體系的發展,其“讀取-重寫”機制影響了DRAM設計。盡管已被更高效的技術替代,但理解其原理有助于掌握存儲器技術演進脈絡。
來源說明
Computer History Museum, "Core Memory"
IEEE Solid-State Circuits Magazine, "DRAM Technology Evolution"
Encyclopedia of Computer Science, "Memory Systems"
“破壞性存儲器”是一個較為特殊的計算機術語,其核心特征在于存儲介質在讀取或寫入數據時會導緻原有數據的物理性破壞。以下是綜合解釋:
術語定義
根據的翻譯線索,“破壞性存儲器”對應的英文為“destructive storage”,指在數據讀取過程中,存儲單元的信息會被破壞或丢失的存儲器類型。例如早期某些磁性存儲介質或需要刷新操作的動态存儲器(如DRAM)可能具有類似特性。
與常規存儲器的區别
普通存儲器(如現代内存和硬盤)屬于非破壞性存儲器,數據讀取後仍保持完整(參考)。而破壞性存儲器需要額外電路對數據進行“重寫”以恢複原狀态,否則會導緻數據丢失。
應用與現狀
這類存儲器在現代計算機系統中已非常罕見,主要存在于早期計算機技術或特殊場景中。當前主流的存儲設備(如SSD、DDR内存)通過技術改良已消除數據讀取破壞性問題。
建議:該術語在實際工程中極少使用,建議結合具體技術文檔或行業标準進一步确認語境含義。若涉及學術研究,可參考IEEE等權威文獻中的定義。
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