破坏性存储器英文解释翻译、破坏性存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 deatructive storage; destructive storage

分词翻译：

破坏的英语翻译：

destroy; spoil; ruin; demolish; wreck; sabotage; destruction; subversion
torpedo; wreckage
【计】 blow-up
【医】 destruction
【经】 baffled; breach of confidence

性的英语翻译：

character; gender; nature; quality; sex
【医】 gam-; gamo-; geno-; sex

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

破坏性存储器（Destructive Read Memory）指在读取存储数据时会导致原始信息被清除或改变的存储器类型。这类存储器在读取操作后必须通过额外的“重写”步骤恢复数据，常见于早期计算机存储技术中。

一、核心特性与工作原理

破坏性读取机制
当数据被读取时，存储单元的物理状态（如磁芯的磁化方向或电容电荷）会被强制复位，导致原始数据丢失。例如磁芯存储器（Core Memory）通过电流脉冲读取数据，读取后磁化状态归零需立即重写。

数据恢复需求
每次读取后需附加电路（如重写放大器）自动恢复数据，增加系统复杂度和延迟。

二、典型实例与技术演进

磁芯存储器（1950s-1970s）
使用铁氧体磁环，通过X/Y导线施加电流改变磁化方向存储数据。读取时检测感应电压，同时磁芯状态被重置，需在读取周期内完成数据回写。

DRAM的相似性
现代DRAM虽非完全破坏性，但读取时电容电荷会衰减，需刷新电路周期性重写数据，继承了破坏性存储的设计逻辑。

三、与非破坏性存储器的对比

特性	破坏性存储器	非破坏性存储器（如SRAM）
读取后数据状态	丢失或改变	保留完整
访问速度	较慢（需重写周期）	快
功耗	较高（频繁重写）	较低
典型应用	早期大型机主存	高速缓存

四、技术意义与现代关联

破坏性存储器推动了计算机存储体系的发展，其“读取-重写”机制影响了DRAM设计。尽管已被更高效的技术替代，但理解其原理有助于掌握存储器技术演进脉络。

来源说明

Computer History Museum, "Core Memory"

IEEE Solid-State Circuits Magazine, "DRAM Technology Evolution"

Encyclopedia of Computer Science, "Memory Systems"

网络扩展解释

“破坏性存储器”是一个较为特殊的计算机术语，其核心特征在于存储介质在读取或写入数据时会导致原有数据的物理性破坏。以下是综合解释：

术语定义
根据的翻译线索，“破坏性存储器”对应的英文为“destructive storage”，指在数据读取过程中，存储单元的信息会被破坏或丢失的存储器类型。例如早期某些磁性存储介质或需要刷新操作的动态存储器（如DRAM）可能具有类似特性。
与常规存储器的区别
普通存储器（如现代内存和硬盘）属于非破坏性存储器，数据读取后仍保持完整（参考）。而破坏性存储器需要额外电路对数据进行“重写”以恢复原状态，否则会导致数据丢失。
应用与现状
这类存储器在现代计算机系统中已非常罕见，主要存在于早期计算机技术或特殊场景中。当前主流的存储设备（如SSD、DDR内存）通过技术改良已消除数据读取破坏性问题。

建议：该术语在实际工程中极少使用，建议结合具体技术文档或行业标准进一步确认语境含义。若涉及学术研究，可参考IEEE等权威文献中的定义。