刷新周期英文解釋翻譯、刷新周期的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 refresh cycle

break; refurbish; renovate; renovation
【計】 refresh

cycle; period; wheel
【計】 C; cycle time; loop cycle; periods
【化】 period
【醫】 cycle
【經】 cycle; period

在電子工程和計算機科學領域，“刷新周期”是一個關鍵術語，指動态隨機存取存儲器（DRAM）中為維持數據完整性而必須定期重寫（刷新）存儲單元内容的固定時間間隔。其核心含義如下：

定義與機制 (Definition & Mechanism)
刷新周期指DRAM芯片中，從某一行存儲單元開始刷新到下一次必須再次刷新該行之間的最大允許時間窗口。DRAM利用電容存儲電荷代表數據（0或1），但電容會自然漏電。刷新操作即在數據丢失前讀取并重寫該行所有單元，以補充電荷。一個完整的刷新周期通常覆蓋芯片所有行。
技術必要性 (Technical Necessity)
刷新是DRAM區别于靜态RAM（SRAM）的本質特征。若不按周期刷新，電容電荷衰減将導緻數據錯誤（稱為“數據揮發”）。刷新周期由DRAM物理特性和制造工藝決定，是内存可靠性的核心參數。
典型參數與計算 (Typical Parameters & Calculation)
标準DRAM（如DDR4）的刷新周期通常為64毫秒（ms）。若芯片有8192行，則控制器需在64ms内完成所有行刷新。由此計算刷新命令的發送間隔（刷新間隔時間，tREFI）：

$$

text{tREFI} = frac{text{刷新周期}}{text{行數}} = frac{64 text{ ms}}{8192} approx 7.8 mu text{s}

$$

即每7.8微秒需發送一次刷新命令至一行。
系統影響 (System Impact)
刷新操作會暫停内存讀寫（産生“刷新延遲”），影響系統性能。高密度DRAM（如128Gb以上）可能采用更複雜的刷新方案（如“目标刷新”），以平衡容量、功耗與延遲。

詞典釋義參考

《英漢電子工程詞典》（科學出版社）：

刷新周期（refresh cycle）：動态存儲器中，對存儲單元定期進行電荷重寫的操作周期。用于防止因電荷洩漏導緻的數據丢失，是維持存儲器正常工作的必要過程。

《計算機科學技術名詞》（第三版，科學出版社）：

刷新周期：動态隨機存取存儲器（DRAM）中，連續兩次刷新同一存儲單元的最大時間間隔。标準值為64毫秒，需通過控制器定時執行刷新命令實現。

刷新周期是一個多領域術語，其核心含義指數據或信息定期更新/重置的時間間隔，具體定義因應用場景而異，主要分為以下三類：

刷新周期指系統刷新數據或更新信息的間隔時間，反映數據更新頻率（單位：秒）。短周期意味着高頻率更新和快速響應，但可能增加系統負載；長周期則降低資源消耗，但會導緻數據延遲或過時。影響因素包括系統負載、數據處理能力、網絡速度等。

在動态隨機存取存儲器（DRAM）中，刷新周期指電容電荷重新寫入以防止數據丢失的時間間隔。典型标準為8ms-16ms，具體實現方式包括：

指屏幕每秒刷新圖像的次數，單位為赫茲（Hz）。例如60Hz表示每秒刷新60次。高刷新周期（如120Hz）可提升畫面流暢度，尤其在遊戲和視頻場景中效果顯著。

在軟件層面，刷新周期也用于緩存更新（如浏覽器緩存定期清空）或異步數據交互（如Ajax局部刷新頁面）。不同場景需根據性能需求、數據時效性等綜合設定周期參數。