刷新周期英文解释翻译、刷新周期的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 refresh cycle

break; refurbish; renovate; renovation
【计】 refresh

cycle; period; wheel
【计】 C; cycle time; loop cycle; periods
【化】 period
【医】 cycle
【经】 cycle; period

在电子工程和计算机科学领域，“刷新周期”是一个关键术语，指动态随机存取存储器（DRAM）中为维持数据完整性而必须定期重写（刷新）存储单元内容的固定时间间隔。其核心含义如下：

定义与机制 (Definition & Mechanism)
刷新周期指DRAM芯片中，从某一行存储单元开始刷新到下一次必须再次刷新该行之间的最大允许时间窗口。DRAM利用电容存储电荷代表数据（0或1），但电容会自然漏电。刷新操作即在数据丢失前读取并重写该行所有单元，以补充电荷。一个完整的刷新周期通常覆盖芯片所有行。
技术必要性 (Technical Necessity)
刷新是DRAM区别于静态RAM（SRAM）的本质特征。若不按周期刷新，电容电荷衰减将导致数据错误（称为“数据挥发”）。刷新周期由DRAM物理特性和制造工艺决定，是内存可靠性的核心参数。
典型参数与计算 (Typical Parameters & Calculation)
标准DRAM（如DDR4）的刷新周期通常为64毫秒（ms）。若芯片有8192行，则控制器需在64ms内完成所有行刷新。由此计算刷新命令的发送间隔（刷新间隔时间，tREFI）：

$$

text{tREFI} = frac{text{刷新周期}}{text{行数}} = frac{64 text{ ms}}{8192} approx 7.8 mu text{s}

$$

即每7.8微秒需发送一次刷新命令至一行。
系统影响 (System Impact)
刷新操作会暂停内存读写（产生“刷新延迟”），影响系统性能。高密度DRAM（如128Gb以上）可能采用更复杂的刷新方案（如“目标刷新”），以平衡容量、功耗与延迟。

词典释义参考

《英汉电子工程词典》（科学出版社）：

刷新周期（refresh cycle）：动态存储器中，对存储单元定期进行电荷重写的操作周期。用于防止因电荷泄漏导致的数据丢失，是维持存储器正常工作的必要过程。

《计算机科学技术名词》（第三版，科学出版社）：

刷新周期：动态随机存取存储器（DRAM）中，连续两次刷新同一存储单元的最大时间间隔。标准值为64毫秒，需通过控制器定时执行刷新命令实现。

刷新周期是一个多领域术语，其核心含义指数据或信息定期更新/重置的时间间隔，具体定义因应用场景而异，主要分为以下三类：

刷新周期指系统刷新数据或更新信息的间隔时间，反映数据更新频率（单位：秒）。短周期意味着高频率更新和快速响应，但可能增加系统负载；长周期则降低资源消耗，但会导致数据延迟或过时。影响因素包括系统负载、数据处理能力、网络速度等。

在动态随机存取存储器（DRAM）中，刷新周期指电容电荷重新写入以防止数据丢失的时间间隔。典型标准为8ms-16ms，具体实现方式包括：

指屏幕每秒刷新图像的次数，单位为赫兹（Hz）。例如60Hz表示每秒刷新60次。高刷新周期（如120Hz）可提升画面流畅度，尤其在游戏和视频场景中效果显著。

在软件层面，刷新周期也用于缓存更新（如浏览器缓存定期清空）或异步数据交互（如Ajax局部刷新页面）。不同场景需根据性能需求、数据时效性等综合设定周期参数。