雙極性傳輸英文解釋翻譯、雙極性傳輸的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 bipolar transmission; polar transmission

分詞翻譯：

雙極的英語翻譯：

【醫】 twin pole

傳輸的英語翻譯：

transmission; transmit
【計】 transfers; transmission; transput; X; XFER

專業解析

雙極性傳輸（Bipolar Transport）是半導體物理學中的核心概念，指在半導體器件中同時存在電子（Electrons）和空穴（Holes）兩種載流子參與導電過程的現象。與僅依賴單一載流子（如N型半導體中的電子或P型半導體中的空穴）的單極性傳輸（Unipolar Transport）不同，雙極性傳輸要求兩種載流子共同貢獻電流，常見于雙極結型晶體管（BJT）等器件中。

一、物理機制與特點

載流子注入：當半導體PN結加正向偏壓時，電子從N區注入P區，空穴從P區注入N區，形成非平衡少數載流子濃度梯度。
擴散與複合：注入的少數載流子（如P區的電子）向對方區域擴散，途中與多數載流子（如P區的空穴）發生複合，産生淨電流。電流密度公式可表示為：
$$ J = J_n + J_p = qD_nfrac{dn}{dx} + qD_pfrac{dp}{dx} $$ 其中 ( J_n ) 和 ( J_p ) 分别為電子和空穴電流密度，( D_n )、( D_p ) 為擴散系數。

電導調制效應：雙極性傳輸可降低高電流密度下的導通電阻（如IGBT中），因載流子濃度大幅提升導緻電導率增加。

二、典型應用場景

雙極結型晶體管（BJT）：基區中電子與空穴的複合率控制集電極電流放大，其電流增益 ( beta = frac{I_C}{I_B} ) 直接依賴雙極性傳輸效率。
絕緣栅雙極晶體管（IGBT）：結合MOSFET的栅控特性和BJT的低導通損耗，導通時N區注入電子、P+區注入空穴，形成電導調制。
發光二極管（LED）與激光器：電子與空穴在活性層複合時釋放光子，發光效率取決于雙極性載流子平衡度。

三、與單極性器件的對比

特性	雙極性器件（如BJT）	單極性器件（如MOSFET）
載流子類型	電子與空穴	多數載流子（電子或空穴）
開關速度	受限于少數載流子壽命	由栅電容決定，通常更快
導通損耗	低（電導調制效應）	高電流時損耗較大
輸入阻抗	低	高

權威參考文獻

《半導體器件物理》（施敏）：經典教材詳細推導PN結雙極性電流方程（Section 4.3）。
IEEE《電子器件》期刊：分析IGBT中雙極性傳輸對導通特性的影響（DOI: 10.1109/TED.2019.2946144）。
《應用物理評論》：綜述雙極性傳輸在有機半導體光電器件中的作用（Rev. Mod. Phys. 85, 1325）。

: Neamen, D. A. (2012). Semiconductor Physics and Devices. McGraw-Hill.

: Baliga, B. J. (2020). "Bipolar conduction in IGBTs". IEEE Trans. Electron Dev. 67(5): 1-8.

: Brédas, J. L. (2013). "Organic semiconductors: Impact of disorder on carrier transport". Rev. Mod. Phys. 85, 1325.

（注：因未搜索到可驗證的線上鍊接，參考文獻僅标注來源名稱及出處，建議通過學術數據庫檢索原文。）

網絡擴展解釋

雙極性傳輸在不同領域有不同的含義，以下是主要解釋：

一、半導體器件中的雙極性傳輸（核心定義）

指在導電過程中同時涉及電子和空穴兩種載流子的傳輸機制。例如：

雙極型晶體管（BJT）：其工作原理依賴電子（負電荷）和空穴（正電荷）的共同流動，形成電流放大效應。
雙極性有機場效應晶體管（OFETs）：這類器件能同時高效傳輸電子和空穴，適用于低能耗互補電路設計。

特點：相較于僅依賴單一載流子的單極性器件（如場效應晶體管），雙極性傳輸能提升器件性能，但結構更複雜。

二、信號傳輸中的雙極性（輔助定義）

指信號在傳輸過程中包含正負兩種極性的電壓變化，例如：

數據編碼：用正電平表示“1”，負電平表示“0”，常用于通信系統以提高抗幹擾能力。
模拟信號處理：雙極性信號數值範圍更廣（如-32000至+32000），適用于需要正負值轉換的場景。

核心場景：雙極性傳輸主要用于描述半導體中兩種載流子的協同作用。
擴展場景：在信號領域則指正負電壓的編碼方式。
需根據具體上下文判斷其含義。