雙電位靜電透鏡英文解釋翻譯、雙電位靜電透鏡的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 bipotential electrostatic lens; immersion electrosraic lens

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

電位的英語翻譯：

【醫】 potential

靜電透鏡的英語翻譯：

【化】 electrostatic lens

專業解析

雙電位靜電透鏡（Dual-Potential Electrostatic Lens）是一種利用靜電場調控帶電粒子束（如電子或離子）運動軌迹的裝置，其核心特征是通過兩個獨立控制的電勢區域實現粒子聚焦或發散。該技術廣泛應用于電子顯微鏡、粒子加速器、質譜儀等高精度儀器中。

1. 基本結構與原理

雙電位靜電透鏡由兩組同軸環形電極構成，分别施加不同電壓（如$V_1$和$V_2$）。根據泊松方程$ abla phi = -rho/epsilon_0$，電極間形成的非均勻電場會對帶電粒子産生洛倫茲力，使粒子路徑發生偏轉。通過調節兩電極的電位差，可控制透鏡的焦距和像差特性。

2. 功能特性

雙電位調控：獨立控制兩組電極電壓，實現動态聚焦調節；
低像差設計：相較于單電位透鏡，能減少球差和色差（參考《電子光學系統設計》第3章）；
能量篩選：二次電子或低能離子可通過電位梯度實現能譜分析（Applied Physics Letters, 2022）。

3. 典型應用場景

掃描電鏡（SEM）：用于樣品表面成像時電子束的聚焦；
離子注入設備：精确控制半導體摻雜工藝中的離子束流；
空間推進器：調控離子推進器的羽流發散角（NASA技術報告_ESC-23-015）。

4. 理論模型與優化

基于軸對稱場的傍軸近似方程：

frac{dr}{dz} + frac{phi'(z)}{2phi(z)}frac{dr}{dz} + frac{phi''(z)}{4phi(z)}r = 0

該微分方程描述了粒子軌迹與電勢分布的關系，數值求解可優化透鏡幾何參數（見Springer《Charged Particle Optics》）。

權威文獻建議參考美國物理聯合會（AIP）出版的《Journal of Applied Physics》近年刊載的靜電透鏡仿真研究，或中國知網《真空電子技術》期刊收錄的雙電位透鏡設計案例。

網絡擴展解釋

雙電位靜電透鏡是一種利用靜電場調控電子束聚焦的裝置，其核心特征在于兩側電極（物方和像方）處于不同電位，形成浸沒式結構。以下為詳細解釋：

1.基本定義

雙電位靜電透鏡屬于電子透鏡的一種，通過帶電導體産生的旋轉對稱靜電場實現電子束的聚焦和成像。其名稱中的“雙電位”指透鏡兩側電極施加不同電壓，形成電位梯度（）。這種設計常見于浸沒式透鏡（immersion lens），例如由雙圓筒電極構成的結構（）。

2.工作原理

電場分布：多個導體電極（如圓筒或金屬闆）被施加不同電壓，形成軸對稱靜電場。電子束通過時，受電場力作用發生折射，類似光學透鏡的光線偏折（）。
雙電位特性：物方與像方空間電位不同，導緻兩側焦距不等，但簡正焦距相等。主平面位置偏向低電位側，影響電子軌迹（）。

3.應用領域

電子器件：如陰極射線示波管，用于控制電子束掃描和成像。
科學儀器：電子顯微鏡中用于聚焦離子束，提高成像分辨率（）。

4.與磁透鏡的區别

靜電透鏡依賴電場，而磁透鏡利用非均勻磁場聚焦電子束。前者結構簡單且無磁滞效應，後者適用于高能電子（）。

雙電位靜電透鏡通過兩側電位差形成浸沒式電場，優化電子束的聚焦性能，廣泛應用于需要精密電子控制的領域。更多技術細節可參考電子光學相關文獻或專業教材。