雙極電晶體英文解釋翻譯、雙極電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 bipolar transistor

分詞翻譯：

雙極的英語翻譯：

【醫】 twin pole

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

雙極電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT）是一種基于半導體材料的三端電子元件，通過載流子（電子和空穴）的雙極傳導實現電流放大和開關控制功能。其核心結構由兩個PN結構成，根據摻雜類型分為NPN和PNP兩種，主要應用于模拟電路、功率放大及數字邏輯電路中。

1. 基本結構與工作原理

雙極電晶體包含三個摻雜半導體區域：發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。以NPN型為例：

發射極：高濃度N型摻雜，向基極注入電子；
基極：極薄P型摻雜，控制電子傳輸；
集電極：大面積N型摻雜，收集擴散電子。

其電流放大效應遵循公式：

I_C = beta I_B

其中，$I_C$為集電極電流，$I_B$為基極電流，$beta$為電流放大系數（通常20-200）。

2. 工作模式

截止區（$V_{BE} < 0.7V$）：無導通；
放大區（$V{BE} geq 0.7V$且$V{CE} > V_{BE}$）：$I_C$與$I_B$成線性關系；
飽和區（$V{CE} < V{BE}$）：$I_C$達到最大值，失去放大能力。

3. 關鍵參數

電流增益（$beta$或$h_{FE}$）：典型值50-800；
擊穿電壓（$V_{CEO}$）：集電極-發射極最大耐壓；
截止頻率（$f_T$）：高頻性能指标。

4. 典型應用

信號放大：音頻放大器、射頻電路；
開關電路：電源控制、數字邏輯門；
溫度傳感：利用基極-發射極電壓溫漂特性。

引用來源

《微電子電路》（第7版），Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Oxford University Press
IEEE Xplore文獻庫：BJT器件模型分析
德州儀器應用手冊《BJT Fundamentals》
MIT開放式課程《半導體器件物理》

網絡擴展解釋

雙極電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT）是一種基于半導體材料的三端電子器件，主要用于信號放大、開關控制等電路功能。以下是詳細解釋：

1.基本概念

雙極電晶體屬于雙極性接面電晶體（BJT），其名稱中的“雙極”源于其工作時同時依賴電子和空穴兩種載流子的運動。與僅依賴單一載流子的場效應晶體管（FET）不同，BJT通過電流控制實現信號放大，具有電流增益特性。

2.結構組成

三個電極：
- 射極（Emitter）：發射載流子。
- 基極（Base）：控制載流子流動（厚度極薄，通常僅微米級）。
- 集極（Collector）：收集載流子。
兩種結構類型：
- NPN型：由兩層N型半導體夾一層P型半導體構成。
- PNP型：由兩層P型半導體夾一層N型半導體構成。

3.工作原理

通過基極輸入的小電流控制集電極-射極間的大電流，實現電流放大。具體過程：

發射結正向偏置：載流子（電子或空穴）從射極注入基區。
基區擴散：載流子在薄基區擴散，部分與基區多數載流子複合，形成基極電流。
集電結反向偏置：大部分載流子被集電極收集，形成集電極電流。

4.與場效應晶體管（FET）的區别

特性	BJT	FET
控制方式	電流控制（基極電流）	電壓控制（栅極電壓）
載流子類型	電子和空穴	多數載流子（單極）
輸入阻抗	低	高
響應速度	高（實驗室達100GHz）	中等

5.應用領域

放大電路：如音頻放大器、射頻信號放大。
開關電路：高速數字電路（如計算機邏輯門）。
穩壓與振蕩電路：結合其他元件實現複雜功能。

如需進一步了解技術參數或具體型號，可參考半導體器件手冊或相關專業文獻。