双极电晶体英文解释翻译、双极电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 bipolar transistor

分词翻译：

双极的英语翻译：

【医】 twin pole

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

双极电晶体（Bipolar Junction Transistor, BJT）是一种基于半导体材料的三端电子元件，通过载流子（电子和空穴）的双极传导实现电流放大和开关控制功能。其核心结构由两个PN结构成，根据掺杂类型分为NPN和PNP两种，主要应用于模拟电路、功率放大及数字逻辑电路中。

1. 基本结构与工作原理

双极电晶体包含三个掺杂半导体区域：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。以NPN型为例：

发射极：高浓度N型掺杂，向基极注入电子；
基极：极薄P型掺杂，控制电子传输；
集电极：大面积N型掺杂，收集扩散电子。

其电流放大效应遵循公式：

I_C = beta I_B

其中，$I_C$为集电极电流，$I_B$为基极电流，$beta$为电流放大系数（通常20-200）。

2. 工作模式

截止区（$V_{BE} < 0.7V$）：无导通；
放大区（$V{BE} geq 0.7V$且$V{CE} > V_{BE}$）：$I_C$与$I_B$成线性关系；
饱和区（$V{CE} < V{BE}$）：$I_C$达到最大值，失去放大能力。

3. 关键参数

电流增益（$beta$或$h_{FE}$）：典型值50-800；
击穿电压（$V_{CEO}$）：集电极-发射极最大耐压；
截止频率（$f_T$）：高频性能指标。

4. 典型应用

信号放大：音频放大器、射频电路；
开关电路：电源控制、数字逻辑门；
温度传感：利用基极-发射极电压温漂特性。

引用来源

《微电子电路》（第7版），Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Oxford University Press
IEEE Xplore文献库：BJT器件模型分析
德州仪器应用手册《BJT Fundamentals》
MIT开放式课程《半导体器件物理》

网络扩展解释

双极电晶体（Bipolar Junction Transistor, BJT）是一种基于半导体材料的三端电子器件，主要用于信号放大、开关控制等电路功能。以下是详细解释：

1.基本概念

双极电晶体属于双极性接面电晶体（BJT），其名称中的“双极”源于其工作时同时依赖电子和空穴两种载流子的运动。与仅依赖单一载流子的场效应晶体管（FET）不同，BJT通过电流控制实现信号放大，具有电流增益特性。

2.结构组成

三个电极：
- 射极（Emitter）：发射载流子。
- 基极（Base）：控制载流子流动（厚度极薄，通常仅微米级）。
- 集极（Collector）：收集载流子。
两种结构类型：
- NPN型：由两层N型半导体夹一层P型半导体构成。
- PNP型：由两层P型半导体夹一层N型半导体构成。

3.工作原理

通过基极输入的小电流控制集电极-射极间的大电流，实现电流放大。具体过程：

发射结正向偏置：载流子（电子或空穴）从射极注入基区。
基区扩散：载流子在薄基区扩散，部分与基区多数载流子复合，形成基极电流。
集电结反向偏置：大部分载流子被集电极收集，形成集电极电流。

4.与场效应晶体管（FET）的区别

特性	BJT	FET
控制方式	电流控制（基极电流）	电压控制（栅极电压）
载流子类型	电子和空穴	多数载流子（单极）
输入阻抗	低	高
响应速度	高（实验室达100GHz）	中等

5.应用领域

放大电路：如音频放大器、射频信号放大。
开关电路：高速数字电路（如计算机逻辑门）。
稳压与振荡电路：结合其他元件实现复杂功能。

如需进一步了解技术参数或具体型号，可参考半导体器件手册或相关专业文献。