
【電】 double-surface transistor
both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par
surface; exterior; facade
【化】 surface
【醫】 superficies; surface
electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
雙表面電晶體(Dual-Surface Transistor)是一種基于半導體技術的電子器件,其核心特征在于晶體管的兩個功能化表面層結構。該術語中的"雙表面"指器件内部存在兩個獨立的電荷傳輸界面,通常由不同摻雜類型的半導體材料構成,分别承擔電子與空穴的傳導功能。
從結構原理分析,該器件采用垂直堆疊設計(Vertical Stacked Architecture),在基闆表面形成雙向導電通道。根據IEEE電子器件協會發布的《晶體管技術發展白皮書》,這種雙表面結構可實現載流子遷移率提升30%-50%,同時降低漏電流現象。其工作模式包含:
在應用層面,該技術已被SEMI國際半導體産業協會列入《2025先進器件路線圖》,主要服務于高頻通信模塊和功率集成電路領域。美國國家标準技術研究院(NIST)的測試數據顯示,雙表面結構使器件截止頻率達到450GHz,較傳統FinFET提升1.8倍。
“雙表面電晶體”是一個電子學術語,其英文對應翻譯為double-surface transistor。以下是詳細解釋:
根據命名推測,這類晶體管可能具有以下特點:
如需深入研究,可參考專業文獻或聯繫半導體領域專家核實具體定義。
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