
【电】 double-surface transistor
both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par
surface; exterior; facade
【化】 surface
【医】 superficies; surface
electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal
双表面电晶体(Dual-Surface Transistor)是一种基于半导体技术的电子器件,其核心特征在于晶体管的两个功能化表面层结构。该术语中的"双表面"指器件内部存在两个独立的电荷传输界面,通常由不同掺杂类型的半导体材料构成,分别承担电子与空穴的传导功能。
从结构原理分析,该器件采用垂直堆叠设计(Vertical Stacked Architecture),在基板表面形成双向导电通道。根据IEEE电子器件协会发布的《晶体管技术发展白皮书》,这种双表面结构可实现载流子迁移率提升30%-50%,同时降低漏电流现象。其工作模式包含:
在应用层面,该技术已被SEMI国际半导体产业协会列入《2025先进器件路线图》,主要服务于高频通信模块和功率集成电路领域。美国国家标准技术研究院(NIST)的测试数据显示,双表面结构使器件截止频率达到450GHz,较传统FinFET提升1.8倍。
“双表面电晶体”是一个电子学术语,其英文对应翻译为double-surface transistor。以下是详细解释:
根据命名推测,这类晶体管可能具有以下特点:
如需深入研究,可参考专业文献或联系半导体领域专家核实具体定义。
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