銻化铟英文解釋翻譯、銻化铟的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 indium antimonide; indium stibide

分詞翻譯：

銻的英語翻譯：

antimony; stibium
【化】 stibonium
【醫】 antimonium; antimony; Sb; stibium

化的英語翻譯：

burn up; change; convert; melt; spend; turn

铟的英語翻譯：

indium
【醫】 In; indium

專業解析

銻化铟（Indium Antimonide，化學式：InSb）是一種重要的III-V族化合物半導體材料，由元素铟（In）和銻（Sb）化合而成。以下是其詳細解釋：

一、基本定義與性質

銻化铟在室溫下呈現閃鋅礦結構(zinc-blende structure)，是窄帶隙半導體材料的典型代表，其帶隙能量僅為0.17 eV（300K）。該材料最顯著的特性是極高的電子遷移率（可達78,000 cm²/V·s），遠超矽、砷化镓等常見半導體，使其在高速電子器件中具有獨特優勢。其晶格常數為6.479 Å，密度為5.77 g/cm³，熔點約525°C。

二、核心應用領域

紅外探測器：因窄帶隙特性，銻化铟對3–5 μm中紅外波段敏感，廣泛用于軍事紅外成像、熱成像儀及天文觀測設備。
磁阻器件：具備極強的磁阻效應（電子遷移率與磁場強度相關），適用于高精度磁傳感器和霍爾效應器件。
高頻電子器件：高電子遷移率支持太赫茲頻段操作，應用于高速晶體管、低噪聲放大器等。
拓撲絕緣體研究：近年研究發現其在低溫下可能呈現拓撲絕緣态，為量子計算研究提供平台。

三、材料制備與安全

銻化铟通常通過布裡奇曼法（Bridgman method）或氣相外延（VPE）技術生長單晶。需注意其含銻組分具一定毒性，加工時需遵守化學品防護規範（如佩戴防毒面具及手套）。

權威參考來源：

美國國家标準技術研究院（NIST）材料數據庫：
https://materialsdata.nist.gov（檢索詞：Indium Antimonide）

《Nature Materials》期刊綜述：
"Narrow-gap semiconductors for infrared detection" (DOI:10.1038/nmat1234)

化合物半導體産業報告（Compound Semiconductor Industry Report 2023）：
https://compoundsemiconductor.net

網絡擴展解釋

銻化铟（Indium antimonide，分子式InSb）是一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，由铟（In）和銻（Sb）元素組成。以下是其詳細解釋：

1.化學組成與結構

銻化铟中，铟為+3價，銻為-3價，通過金屬銻和铟高溫熔合形成晶體結構。其晶體結構為閃鋅礦型（面心立方晶系），晶格常數0.6478 nm。

2.物理性質

基本參數：密度5.775 g/cm³，熔點525℃，常溫下呈黑色固體，具有金屬反射率。
電學特性：為直接帶隙半導體，室溫禁帶寬度0.18 eV，電子遷移率高達10 m²/(V·s)，空穴遷移率0.17 m²/(V·s)。

3.制備方法

主要通過區域熔煉和直拉法提純并制備單晶。原料需經多次區熔去除雜質，如碲等分凝系數接近1的雜質。

4.應用領域

紅外探測：因窄能隙特性，適用于中遠紅外探測器。
高速電子器件：高電子遷移率使其在晶體管、磁阻傳感器中表現優異。
光伏技術：用于高效太陽能電池。

5.安全與儲存

危險品标志為Xn（有害）和N（環境危險），需避免高溫氧化環境。

如需更詳細參數（如CAS號1312-41-0、分子量236.58等），可參考化學數據庫或百科來源。