锑化铟英文解释翻译、锑化铟的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 indium antimonide; indium stibide

分词翻译：

锑的英语翻译：

antimony; stibium
【化】 stibonium
【医】 antimonium; antimony; Sb; stibium

化的英语翻译：

burn up; change; convert; melt; spend; turn

铟的英语翻译：

indium
【医】 In; indium

专业解析

锑化铟（Indium Antimonide，化学式：InSb）是一种重要的III-V族化合物半导体材料，由元素铟（In）和锑（Sb）化合而成。以下是其详细解释：

一、基本定义与性质

锑化铟在室温下呈现闪锌矿结构(zinc-blende structure)，是窄带隙半导体材料的典型代表，其带隙能量仅为0.17 eV（300K）。该材料最显著的特性是极高的电子迁移率（可达78,000 cm²/V·s），远超硅、砷化镓等常见半导体，使其在高速电子器件中具有独特优势。其晶格常数为6.479 Å，密度为5.77 g/cm³，熔点约525°C。

二、核心应用领域

红外探测器：因窄带隙特性，锑化铟对3–5 μm中红外波段敏感，广泛用于军事红外成像、热成像仪及天文观测设备。
磁阻器件：具备极强的磁阻效应（电子迁移率与磁场强度相关），适用于高精度磁传感器和霍尔效应器件。
高频电子器件：高电子迁移率支持太赫兹频段操作，应用于高速晶体管、低噪声放大器等。
拓扑绝缘体研究：近年研究发现其在低温下可能呈现拓扑绝缘态，为量子计算研究提供平台。

三、材料制备与安全

锑化铟通常通过布里奇曼法（Bridgman method）或气相外延（VPE）技术生长单晶。需注意其含锑组分具一定毒性，加工时需遵守化学品防护规范（如佩戴防毒面具及手套）。

权威参考来源：

美国国家标准技术研究院（NIST）材料数据库：
https://materialsdata.nist.gov（检索词：Indium Antimonide）

《Nature Materials》期刊综述：
"Narrow-gap semiconductors for infrared detection" (DOI:10.1038/nmat1234)

化合物半导体产业报告（Compound Semiconductor Industry Report 2023）：
https://compoundsemiconductor.net

网络扩展解释

锑化铟（Indium antimonide，分子式InSb）是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，由铟（In）和锑（Sb）元素组成。以下是其详细解释：

1.化学组成与结构

锑化铟中，铟为+3价，锑为-3价，通过金属锑和铟高温熔合形成晶体结构。其晶体结构为闪锌矿型（面心立方晶系），晶格常数0.6478 nm。

2.物理性质

基本参数：密度5.775 g/cm³，熔点525℃，常温下呈黑色固体，具有金属反射率。
电学特性：为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18 eV，电子迁移率高达10 m²/(V·s)，空穴迁移率0.17 m²/(V·s)。

3.制备方法

主要通过区域熔炼和直拉法提纯并制备单晶。原料需经多次区熔去除杂质，如碲等分凝系数接近1的杂质。

4.应用领域

红外探测：因窄能隙特性，适用于中远红外探测器。
高速电子器件：高电子迁移率使其在晶体管、磁阻传感器中表现优异。
光伏技术：用于高效太阳能电池。

5.安全与储存

危险品标志为Xn（有害）和N（环境危险），需避免高温氧化环境。

如需更详细参数（如CAS号1312-41-0、分子量236.58等），可参考化学数据库或百科来源。