abbr. 矽的局部氧化（Local Oxidation of Silicon）
In the yard of outside workshop, stop dead locos SY0816, 1097.
在機修車間外的院子裡，停放着報廢的機車sy0816, 1097。
But in Zhashan and road to Zhashan, we saw another 3 different number locos.
但在渣山和去渣山的路上，我看見了另外3台不同號碼的機車。
LOCOS is the mature technology, which is used widely for the isolation in semiconductor micron times.
矽的局域氧化工藝是一個非常成熟的工藝，在微米時代有着廣泛的應用。
On the upper surface of the LOCOS regions (12.1, 12.2) are polysilicon tiles (14.1, 14.2), respectively.
所述LOCOS區(12.1、12.2)的上表面上分别是多晶矽瓦片(14.1、14.2)。
One of the most important module improvement is the combination of new LOCOS process development with poly gate lithography process.
關鍵工藝模塊之一是新的LOCOS開發與矽栅光刻工藝改善的結合。
LOCOS是"Local Oxidation of Silicon"的縮寫術語，中文譯為"局部矽氧化"。該技術是半導體制造中的核心工藝，主要用于集成電路中的元件隔離。其原理是通過選擇性氧化矽襯底，在相鄰器件之間形成絕緣的二氧化矽(SiO₂)區域。
該工藝的關鍵步驟包括：在矽片表面沉積氮化矽(Si₃N₄)作為氧化掩膜，通過光刻技術形成特定圖案後，對暴露的矽區域進行高溫氧化。生成的二氧化矽層能有效阻隔相鄰元件的電信號幹擾，這一特性使其在CMOS器件和存儲器制造中廣泛應用。
根據IEEE電子器件期刊的研究，LOCOS技術相比傳統全域氧化具有三大優勢：1) 降低寄生電容約30%；2) 保持矽片表面平整度；3) 提升元件集成密度。但該技術也存在"鳥嘴效應"(Bird's Beak Effect)，即氧化層邊緣會橫向延伸約0.1-0.3微米，這一現象在《半導體制造技術基礎》教材中有詳細機理分析。
當前該技術主要應用于：1) 模拟集成電路的隔離結構；2) 功率器件的終端保護；3) MEMS傳感器的表面鈍化。國際半導體技術路線圖(ITRS)指出，LOCOS工藝在0.25μm及以上制程仍保持約68%的采用率。
LOCOS是一個多義詞，其含義根據上下文不同而有所差異，主要分為以下三種解釋：
LOCOS是英文Local Oxidation of Silicon 的縮寫，意為“矽的局部氧化技術”，是CMOS集成電路制造中的核心工藝之一。
由日本設計師Yukio Ota（國際緊急出口标志設計者）提出，名為LoCoS（Lovers' Communication System）。
作為“loco”的複數形式，有兩種含義：
建議：技術領域和設計領域的解釋更具專業性和特定性，而複數形式屬于通用詞彙。如需進一步了解半導體工藝或符號系統，可參考相關專業文獻或設計資料。
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