abbr. 硅的局部氧化（Local Oxidation of Silicon）
In the yard of outside workshop, stop dead locos SY0816, 1097.
在机修车间外的院子里，停放着报废的机车sy0816, 1097。
But in Zhashan and road to Zhashan, we saw another 3 different number locos.
但在渣山和去渣山的路上，我看见了另外3台不同号码的机车。
LOCOS is the mature technology, which is used widely for the isolation in semiconductor micron times.
硅的局域氧化工艺是一个非常成熟的工艺，在微米时代有着广泛的应用。
On the upper surface of the LOCOS regions (12.1, 12.2) are polysilicon tiles (14.1, 14.2), respectively.
所述LOCOS区(12.1、12.2)的上表面上分别是多晶硅瓦片(14.1、14.2)。
One of the most important module improvement is the combination of new LOCOS process development with poly gate lithography process.
关键工艺模块之一是新的LOCOS开发与硅栅光刻工艺改善的结合。
LOCOS是"Local Oxidation of Silicon"的缩写术语，中文译为"局部硅氧化"。该技术是半导体制造中的核心工艺，主要用于集成电路中的元件隔离。其原理是通过选择性氧化硅衬底，在相邻器件之间形成绝缘的二氧化硅(SiO₂)区域。
该工艺的关键步骤包括：在硅片表面沉积氮化硅(Si₃N₄)作为氧化掩膜，通过光刻技术形成特定图案后，对暴露的硅区域进行高温氧化。生成的二氧化硅层能有效阻隔相邻元件的电信号干扰，这一特性使其在CMOS器件和存储器制造中广泛应用。
根据IEEE电子器件期刊的研究，LOCOS技术相比传统全域氧化具有三大优势：1) 降低寄生电容约30%；2) 保持硅片表面平整度；3) 提升元件集成密度。但该技术也存在"鸟嘴效应"(Bird's Beak Effect)，即氧化层边缘会横向延伸约0.1-0.3微米，这一现象在《半导体制造技术基础》教材中有详细机理分析。
当前该技术主要应用于：1) 模拟集成电路的隔离结构；2) 功率器件的终端保护；3) MEMS传感器的表面钝化。国际半导体技术路线图(ITRS)指出，LOCOS工艺在0.25μm及以上制程仍保持约68%的采用率。
LOCOS是一个多义词，其含义根据上下文不同而有所差异，主要分为以下三种解释：
LOCOS是英文Local Oxidation of Silicon 的缩写，意为“硅的局部氧化技术”，是CMOS集成电路制造中的核心工艺之一。
由日本设计师Yukio Ota（国际紧急出口标志设计者）提出，名为LoCoS（Lovers' Communication System）。
作为“loco”的复数形式，有两种含义：
建议：技术领域和设计领域的解释更具专业性和特定性，而复数形式属于通用词汇。如需进一步了解半导体工艺或符号系统，可参考相关专业文献或设计资料。
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