[電子] 互補金屬氧化物半導體
Provided is a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same.
本發明提供了一種互補金屬氧化物半導體（CMOS）裝置及其制造方法。
The invention relates to a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor and an imaging method thereof.
一種CMOS圖像傳感器及其成像方法。
The first thing the BIOS does is check the information stored in a tiny (64 bytes) amount of RAM located on a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) chip.
BIOS所做的第一件事情是檢查存儲于位于互補金屬氧化物半導體（CMOS）芯片上的一塊極小（64字節）的RAM中的信息。
We propose a new subdivision technique directly subdividing the grating stripe by using complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) microscopic imaging system combined with image processing.
在本研究中提出了一種利用CMOS顯微成像系統并結合圖像處理直接對光栅條紋進行細分的方法。
Ambipolar conduction is an essential and fundamental property in the application of the conventional inorganic complementary metal-oxide-semiconductor thin film transistors.
在傳統互補式金氧半薄膜電晶體的應用上，雙極性傳輸是一基本且重要的 特性。
Most of the fabrication methods of silicon single-electron transistors can be perfectly compatible with the Si complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)technology.
大多數矽基單電子晶體管的制備方法可以很好地與主流的CMOS工藝兼容。
This configuration forces the PDC master to announce itself as a reliable time source and uses the built-in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) clock.
這種配置會強制PDC主機将它自身宣布為可靠的時間源，從而使用内置的互補金屬氧化物半導體（CMOS）時鐘。
To boot an operating system, the BIOS runtime searches for devices that are both active and bootable in the order of preference defined by the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) settings.
要引導一個操作系統，BIOS運行時會按照CMOS的設置定義的順序來搜索處于活動狀态并且可以引導的設備。
A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) readout integrated circuit(ROIC) for the sensitive material of vanadium dioxide(VO_2) was introduced.
介紹了一種針對二氧化釩敏感材料的CMOS讀出電路（RO IC）。
互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）是一種基于半導體工藝的集成電路技術，其核心由成對的N型金屬氧化物半導體（NMOS）和P型金屬氧化物半導體（PMOS）晶體管組成。以下從結構、原理和應用三方面展開說明：
物理結構
CMOS的晶體管栅極由金屬（或高摻雜多晶矽）、二氧化矽絕緣層和半導體襯底構成。NMOS與PMOS通過互補對稱設計實現邏輯功能，例如兩者在反相器電路中交替導通，形成高/低電平輸出。這種結構特性使得電路在靜态時僅存在微量漏電流，顯著降低了功耗。
工作原理
當栅極施加電壓時，電場穿透氧化層，在半導體表面形成導電溝道。NMOS在正電壓下導通電子，PMOS在負電壓下導通空穴，兩者互補開關特性确保了邏輯狀态切換時的高噪聲容限與抗幹擾能力。此特性被廣泛應用于數字電路時鐘同步系統。
技術演進與應用
根據國際半導體技術路線圖（ITRS），CMOS工藝節點已從微米級演進至5納米以下。除傳統微處理器與存儲器外，CMOS圖像傳感器（CIS）通過光電二極管與電荷耦合器件的集成，成為數碼影像領域的核心技術。美國國家标準技術研究院（NIST）的研究表明，現代CMOS傳感器量子效率已超80%。
行業标準參考
關于CMOS電氣特性的詳細參數可查閱《IEEE固态電路期刊》（IEEE Journal of Solid-State Circuits）第54卷第12期，其中對亞阈值擺幅與遷移率優化方案有權威論述。
以下是“Complementary Metal Oxide Semiconductor（CMOS）”的詳細解釋：
CMOS是互補金屬氧化物半導體的縮寫，指一種集成電路設計工藝，通過結合NMOS（N型金屬氧化物半導體）和PMOS（P型金屬氧化物半導體）兩種晶體管，形成互補結構。這種工藝利用兩種晶體管在物理特性上的互補性，實現高效、低功耗的電路運行。
總結來看，CMOS既是半導體制造技術，也是具體硬件組件，其核心價值在于通過互補設計實現高效能和低能耗的平衡。
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