[电子] 互补金属氧化物半导体
Provided is a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same.
本发明提供了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）装置及其制造方法。
The invention relates to a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor and an imaging method thereof.
一种CMOS图像传感器及其成像方法。
The first thing the BIOS does is check the information stored in a tiny (64 bytes) amount of RAM located on a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) chip.
BIOS所做的第一件事情是检查存储于位于互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片上的一块极小（64字节）的RAM中的信息。
We propose a new subdivision technique directly subdividing the grating stripe by using complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) microscopic imaging system combined with image processing.
在本研究中提出了一种利用CMOS显微成像系统并结合图像处理直接对光栅条纹进行细分的方法。
Ambipolar conduction is an essential and fundamental property in the application of the conventional inorganic complementary metal-oxide-semiconductor thin film transistors.
在传统互补式金氧半薄膜电晶体的应用上，双极性传输是一基本且重要的 特性。
Most of the fabrication methods of silicon single-electron transistors can be perfectly compatible with the Si complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)technology.
大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。
This configuration forces the PDC master to announce itself as a reliable time source and uses the built-in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) clock.
这种配置会强制PDC主机将它自身宣布为可靠的时间源，从而使用内置的互补金属氧化物半导体（CMOS）时钟。
To boot an operating system, the BIOS runtime searches for devices that are both active and bootable in the order of preference defined by the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) settings.
要引导一个操作系统，BIOS运行时会按照CMOS的设置定义的顺序来搜索处于活动状态并且可以引导的设备。
A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) readout integrated circuit(ROIC) for the sensitive material of vanadium dioxide(VO_2) was introduced.
介绍了一种针对二氧化钒敏感材料的CMOS读出电路（RO IC）。
互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）是一种基于半导体工艺的集成电路技术，其核心由成对的N型金属氧化物半导体（NMOS）和P型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管组成。以下从结构、原理和应用三方面展开说明：
物理结构
CMOS的晶体管栅极由金属（或高掺杂多晶硅）、二氧化硅绝缘层和半导体衬底构成。NMOS与PMOS通过互补对称设计实现逻辑功能，例如两者在反相器电路中交替导通，形成高/低电平输出。这种结构特性使得电路在静态时仅存在微量漏电流，显著降低了功耗。
工作原理
当栅极施加电压时，电场穿透氧化层，在半导体表面形成导电沟道。NMOS在正电压下导通电子，PMOS在负电压下导通空穴，两者互补开关特性确保了逻辑状态切换时的高噪声容限与抗干扰能力。此特性被广泛应用于数字电路时钟同步系统。
技术演进与应用
根据国际半导体技术路线图（ITRS），CMOS工艺节点已从微米级演进至5纳米以下。除传统微处理器与存储器外，CMOS图像传感器（CIS）通过光电二极管与电荷耦合器件的集成，成为数码影像领域的核心技术。美国国家标准技术研究院（NIST）的研究表明，现代CMOS传感器量子效率已超80%。
行业标准参考
关于CMOS电气特性的详细参数可查阅《IEEE固态电路期刊》（IEEE Journal of Solid-State Circuits）第54卷第12期，其中对亚阈值摆幅与迁移率优化方案有权威论述。
以下是“Complementary Metal Oxide Semiconductor（CMOS）”的详细解释：
CMOS是互补金属氧化物半导体的缩写，指一种集成电路设计工艺，通过结合NMOS（N型金属氧化物半导体）和PMOS（P型金属氧化物半导体）两种晶体管，形成互补结构。这种工艺利用两种晶体管在物理特性上的互补性，实现高效、低功耗的电路运行。
总结来看，CMOS既是半导体制造技术，也是具体硬件组件，其核心价值在于通过互补设计实现高效能和低能耗的平衡。
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