高场移动率英文解释翻译、高场移动率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 high field mobitity

分词翻译：

高的英语翻译：

high; high-priced; lofty; loud; tall
【医】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-

场的英语翻译：

field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant

移动的英语翻译：

move; remove; ambulate; migrate; shift; transfer; travel
【计】 escapement; move; roaming
【医】 excursion; phoresis; shift; transmigration

率的英语翻译：

frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【医】 rate
【经】 rater.

专业解析

在电子工程与半导体物理领域，"高场移动率"（High-Field Mobility）是一个描述载流子（电子或空穴）在强电场作用下迁移能力的核心参数。其详细含义可从汉英词典角度及物理本质解释如下：

一、术语构成与英译

高场 (Gāo chǎng)：指施加在半导体材料上的高强度电场（High Electric Field），通常远高于低场线性区的电场强度。
移动率 (Yídòng lǜ)：对应迁移率（Mobility），物理符号为 $mu$，衡量载流子在单位电场强度下的平均漂移速度，即 $upsilon_d = mu E$（$upsilon_d$ 为漂移速度，$E$ 为电场强度）。
完整术语：高场迁移率 (High-Field Mobility)，特指载流子在强电场区域（通常 > $10$ V/cm）表现出的迁移率特性。

二、物理意义与特性

在低电场下，载流子迁移率 $mu_{low}$ 可视为常数，其漂移速度与电场成正比（欧姆行为）。然而，当电场强度超过临界值（阈值电场）时：

散射机制变化：载流子获得足够动能，光学声子散射取代声学声子散射成为主导机制，导致迁移率随电场升高而显著下降。
速度饱和效应：载流子漂移速度 $upsilond$ 不再随电场线性增加，而是趋近于一个极限值——饱和速度（$upsilon{sat}$）。此时，高场迁移率 $mu{high}$ 定义为 $mu{high} = upsilon{sat} / E$，其值远低于 $mu{low}$ 且随 $E$ 增大而减小。
非稳态输运：在极高电场下（如超短沟道器件），可能出现速度过冲等非平衡输运现象，此时迁移率概念需谨慎使用。

三、重要性与应用

高场迁移率是设计高速半导体器件（如纳米MOSFET、HEMT）的关键参数：

器件速度：直接影响晶体管的开关速度和截止频率（$f_T$）。
功耗分析：高场迁移率下降导致电阻增大和局部发热，制约器件能效。
材料评估：比较不同半导体材料（如Si、GaAs、GaN）在高压/高频应用下的性能潜力。

四、理论参考

高场迁移率模型常由电场依赖的迁移率公式描述，例如： $$ mu_{eff}(E) = frac{mu_0}{left[1 + left(frac{mu0 E}{upsilon{sat}}right)^betaright]^{1/beta}} $$ 其中 $mu0$ 为低场迁移率，$upsilon{sat}$ 为饱和速度，$beta$ 为拟合参数（通常为1-2）。

来源：

施敏, 伍国珏. 《半导体器件物理》 (Physics of Semiconductor Devices), 第3版.
Robert F. Pierret. 《半导体器件基础》 (Semiconductor Device Fundamentals).
IEEE Electron Device Letters期刊对高场输运的建模研究.

网络扩展解释

“高场移动率”这一表述并非标准科技术语，可能是对特定领域概念的简化或误写。根据字面拆分和常见科学场景推测，可能存在以下两种解释方向：

1.半导体物理中的“高电场迁移率”

在半导体器件（如晶体管）中，当施加高电场时，载流子（电子或空穴）的迁移率可能发生显著变化：

低电场时：迁移率与电场呈线性关系，载流子速度随电场增加而上升。
高电场时：迁移率可能因散射效应增强而下降（如速度饱和现象），导致电流增长趋缓。例如，硅材料中电子迁移率在电场超过约 (1 times 10 , text{V/m}) 时会显著降低。

2.材料科学中的“磁场相关迁移率”

在磁性材料或强磁场实验中，“高场”可能指高磁场环境，此时材料的载流子迁移率可能受磁阻效应或量子效应影响。例如：

磁阻材料：某些材料在强磁场下电阻率变化，间接反映迁移率变化。
量子霍尔效应：极低温与强磁场条件下，二维电子气的迁移率呈现量子化特性。

注意事项

若涉及具体实验或文献，需结合上下文确认术语定义。
建议检查术语准确性（如是否为“高场迁移率”或“高场下迁移率”），或补充背景信息以便进一步分析。