高場移動率英文解釋翻譯、高場移動率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 high field mobitity

分詞翻譯：

高的英語翻譯：

high; high-priced; lofty; loud; tall
【醫】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-

場的英語翻譯：

field; a level open space; scene
【化】 field
【醫】 field; plant

移動的英語翻譯：

move; remove; ambulate; migrate; shift; transfer; travel
【計】 escapement; move; roaming
【醫】 excursion; phoresis; shift; transmigration

率的英語翻譯：

frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【醫】 rate
【經】 rater.

專業解析

在電子工程與半導體物理領域，"高場移動率"（High-Field Mobility）是一個描述載流子（電子或空穴）在強電場作用下遷移能力的核心參數。其詳細含義可從漢英詞典角度及物理本質解釋如下：

一、術語構成與英譯

高場 (Gāo chǎng)：指施加在半導體材料上的高強度電場（High Electric Field），通常遠高于低場線性區的電場強度。
移動率 (Yídòng lǜ)：對應遷移率（Mobility），物理符號為 $mu$，衡量載流子在單位電場強度下的平均漂移速度，即 $upsilon_d = mu E$（$upsilon_d$ 為漂移速度，$E$ 為電場強度）。
完整術語：高場遷移率 (High-Field Mobility)，特指載流子在強電場區域（通常 > $10$ V/cm）表現出的遷移率特性。

二、物理意義與特性

在低電場下，載流子遷移率 $mu_{low}$ 可視為常數，其漂移速度與電場成正比（歐姆行為）。然而，當電場強度超過臨界值（阈值電場）時：

散射機制變化：載流子獲得足夠動能，光學聲子散射取代聲學聲子散射成為主導機制，導緻遷移率隨電場升高而顯著下降。
速度飽和效應：載流子漂移速度 $upsilond$ 不再隨電場線性增加，而是趨近于一個極限值——飽和速度（$upsilon{sat}$）。此時，高場遷移率 $mu{high}$ 定義為 $mu{high} = upsilon{sat} / E$，其值遠低于 $mu{low}$ 且隨 $E$ 增大而減小。
非穩态輸運：在極高電場下（如超短溝道器件），可能出現速度過沖等非平衡輸運現象，此時遷移率概念需謹慎使用。

三、重要性與應用

高場遷移率是設計高速半導體器件（如納米MOSFET、HEMT）的關鍵參數：

器件速度：直接影響晶體管的開關速度和截止頻率（$f_T$）。
功耗分析：高場遷移率下降導緻電阻增大和局部發熱，制約器件能效。
材料評估：比較不同半導體材料（如Si、GaAs、GaN）在高壓/高頻應用下的性能潛力。

四、理論參考

高場遷移率模型常由電場依賴的遷移率公式描述，例如： $$ mu_{eff}(E) = frac{mu_0}{left[1 + left(frac{mu0 E}{upsilon{sat}}right)^betaright]^{1/beta}} $$ 其中 $mu0$ 為低場遷移率，$upsilon{sat}$ 為飽和速度，$beta$ 為拟合參數（通常為1-2）。

來源：

施敏, 伍國珏. 《半導體器件物理》 (Physics of Semiconductor Devices), 第3版.
Robert F. Pierret. 《半導體器件基礎》 (Semiconductor Device Fundamentals).
IEEE Electron Device Letters期刊對高場輸運的建模研究.

網絡擴展解釋

“高場移動率”這一表述并非标準科技術語，可能是對特定領域概念的簡化或誤寫。根據字面拆分和常見科學場景推測，可能存在以下兩種解釋方向：

1.半導體物理中的“高電場遷移率”

在半導體器件（如晶體管）中，當施加高電場時，載流子（電子或空穴）的遷移率可能發生顯著變化：

低電場時：遷移率與電場呈線性關系，載流子速度隨電場增加而上升。
高電場時：遷移率可能因散射效應增強而下降（如速度飽和現象），導緻電流增長趨緩。例如，矽材料中電子遷移率在電場超過約 (1 times 10 , text{V/m}) 時會顯著降低。

2.材料科學中的“磁場相關遷移率”

在磁性材料或強磁場實驗中，“高場”可能指高磁場環境，此時材料的載流子遷移率可能受磁阻效應或量子效應影響。例如：

磁阻材料：某些材料在強磁場下電阻率變化，間接反映遷移率變化。
量子霍爾效應：極低溫與強磁場條件下，二維電子氣的遷移率呈現量子化特性。

注意事項

若涉及具體實驗或文獻，需結合上下文确認術語定義。
建議檢查術語準确性（如是否為“高場遷移率”或“高場下遷移率”），或補充背景信息以便進一步分析。