
【电】 lattice defects
在汉英词典体系中,"格子缺陷"对应的标准英文术语为lattice defect或crystal defect,指晶体原子排列中出现的非理想结构现象。根据材料科学领域权威定义,该概念包含以下核心内容:
基础定义
晶体结构中原子或离子偏离周期性有序排列的局部区域,常见于金属、半导体及陶瓷材料中。例如空位(vacancy)和间隙原子(interstitial)属于点缺陷的典型类别。
分类体系
美国国家标准与技术研究院(NIST)将格子缺陷划分为四类:
其中位错对金属塑性变形起决定性作用。
剑桥大学材料系研究证实,微米级晶格缺陷会显著改变材料导电性(下降15-30%)和抗拉强度(波动幅度达20%)。而纳米级缺陷可提升光伏材料的载流子迁移率。
该术语的标准化定义参考国际纯粹与应用化学联合会(IUPAC)发布的《材料科技术语表》,最新版本对缺陷形成能的计算公式给出明确规范:
$$ Delta Hf = E{text{defect}} - E_{text{perfect}} - sum n_i mui $$
其中$E{text{defect}}$和$E_{text{perfect}}$分别代表缺陷体系与完整体系的能量。
关于“格子缺陷”这一表述,目前可查的公开资料中并未形成明确的专业术语定义,但可以结合“缺陷”的基本概念和相关领域知识进行推测性解释:
词语构成分析
“格子”通常指由线条交叉形成的网格状结构(如晶体晶格、表格、图案等),而“缺陷”指不完美或欠缺的部分()。因此,“格子缺陷”可能指某种网格结构中的不完整性或异常区域。
可能的领域指向
需注意的模糊性
该词未被权威词典或学术文献广泛收录,建议在具体语境中进一步确认其含义。例如:
建议提供更多使用场景或查阅相关领域专业资料以获取精准定义。
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