
【電】 lattice defects
在漢英詞典體系中,"格子缺陷"對應的标準英文術語為lattice defect或crystal defect,指晶體原子排列中出現的非理想結構現象。根據材料科學領域權威定義,該概念包含以下核心内容:
基礎定義
晶體結構中原子或離子偏離周期性有序排列的局部區域,常見于金屬、半導體及陶瓷材料中。例如空位(vacancy)和間隙原子(interstitial)屬于點缺陷的典型類别。
分類體系
美國國家标準與技術研究院(NIST)将格子缺陷劃分為四類:
其中位錯對金屬塑性變形起決定性作用。
劍橋大學材料系研究證實,微米級晶格缺陷會顯著改變材料導電性(下降15-30%)和抗拉強度(波動幅度達20%)。而納米級缺陷可提升光伏材料的載流子遷移率。
該術語的标準化定義參考國際純粹與應用化學聯合會(IUPAC)發布的《材料科技術語表》,最新版本對缺陷形成能的計算公式給出明确規範:
$$ Delta Hf = E{text{defect}} - E_{text{perfect}} - sum n_i mui $$
其中$E{text{defect}}$和$E_{text{perfect}}$分别代表缺陷體系與完整體系的能量。
關于“格子缺陷”這一表述,目前可查的公開資料中并未形成明确的專業術語定義,但可以結合“缺陷”的基本概念和相關領域知識進行推測性解釋:
詞語構成分析
“格子”通常指由線條交叉形成的網格狀結構(如晶體晶格、表格、圖案等),而“缺陷”指不完美或欠缺的部分()。因此,“格子缺陷”可能指某種網格結構中的不完整性或異常區域。
可能的領域指向
需注意的模糊性
該詞未被權威詞典或學術文獻廣泛收錄,建議在具體語境中進一步确認其含義。例如:
建議提供更多使用場景或查閱相關領域專業資料以獲取精準定義。
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