
【计】 NDRO; nondestructive read-out
非破坏读出(Non-destructive Readout)是计算机科学与电子工程领域的重要术语,指在数据读取过程中保持原始存储介质完整性且不改变其内容的技术。该概念广泛应用于存储器设计(如DRAM、MRAM)、传感器系统和量子计算等领域。其核心原理是通过物理或逻辑手段分离读取信号与存储单元状态,例如利用电荷感应而非电荷转移(DRAM技术),或基于磁阻效应读取磁性材料状态(MRAM技术)。
与传统破坏性读取相比,非破坏读出的技术优势体现在三方面:
国际电子电气工程师协会(IEEE)在《存储技术白皮书》中强调,非破坏读出技术已成为新型存储器研发的关键指标,特别是在高密度存储和低功耗设备领域。牛津大学出版社的《英汉电子工程辞典》进一步指出,该技术对实现存算一体架构具有基础支撑作用。
“非破坏读出”(Non-Destructive Readout,简称NDRO)是计算机存储技术中的术语,指在不破坏存储介质原有数据的前提下完成数据读取操作。以下是详细解释:
在铁电存储器(如提到的技术)中,数据以电极化状态存储。非破坏读出的实现方式包括:
根据专利,非破坏读出方法涉及电极化材料的特性检测,例如通过预定的电压协议或电容测量区分逻辑状态。
如需进一步了解具体技术实现细节,可参考相关专利文献或技术文档。
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