反铁磁区英文解释翻译、反铁磁区的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 antiferromagnetic domain

分词翻译：

反的英语翻译：

in reverse; on the contrary; turn over
【医】 contra-; re-; trans-

铁磁区的英语翻译：

【电】 ferromagnetic domain

专业解析

反铁磁区（Antiferromagnetic Domain）指在反铁磁材料内部，相邻原子或离子的自旋磁矩呈现反平行有序排列的区域。这种有序排列导致材料整体净磁矩为零，宏观上不表现出磁性。以下是关键特征解释：

自旋排列特性
在反铁磁区内，相邻原子自旋方向相反且大小相等，形成稳定的反平行有序结构。例如在MnO₂晶体中，锰离子的自旋交替反向排列，抵消了净磁矩（参考：Kittel《固体物理导论》）。
奈尔温度（Néel Temperature）
反铁磁有序仅在临界温度（奈尔温度$T_N$）以下存在，超过该温度时热扰动破坏自旋有序性，材料转变为顺磁态。其相变过程可表示为：

$$ T > T_N rightarrow text{顺磁性} T < T_N rightarrow text{反铁磁性} $$
磁畴与畴壁
反铁磁材料中存在多个磁畴，各畴内自旋排列方向不同。畴壁（Domain Wall）是分隔相邻磁畴的过渡区域，其能量和结构影响材料的宏观性质（参考：Chikazumi《铁磁物理学》）。
技术应用
反铁磁区在自旋电子学器件中具有关键作用，例如通过交换偏置效应（Exchange Bias）增强磁存储设备的稳定性（参考：Parkin et al., IBM Journal of Research and Development）。

注：因未搜索到可引用网页，本文定义及特征综合自权威教材：

Kittel C. Introduction to Solid State Physics (第8版), Wiley.

Chikazumi S. Physics of Ferromagnetism (第2版), Oxford University Press.

Parkin S.S.P., et al. Exchange-Biased Magnetic Tunnel Junctions, IBM J. Res. Dev. 44(1), 2000.

网络扩展解释

反铁磁区是指反铁磁性材料内部形成的微观磁矩有序排列区域。其核心特征如下：

磁矩排列方式
每个区域内相邻原子磁矩呈现反向平行排列（），形成稳定的自旋有序结构。这种排列使单个区域的总净磁矩为零，宏观上不显磁性。
磁畴特性
材料内部可能包含多个反铁磁区（磁畴），不同区域的磁矩排列方向存在差异。例如，某些区域的磁矩可能沿晶格特定方向排列，而相邻区域则沿其他对称方向排列。
对外响应特性
在外部磁场作用下，磁畴内的反平行结构会阻碍磁矩转向，导致磁化率较低（）。撤去磁场后，磁矩迅速恢复原排列，表现出"记忆"原有结构的能力（）。
温度影响
当温度超过尼尔点（反铁磁相变温度）时，热运动破坏磁矩的有序排列，反铁磁区消失，材料转变为顺磁态。

反铁磁区是反铁磁材料维持微观磁序的基本单元，其独特的反平行磁矩结构和多畴特性，使材料在磁存储、自旋电子学等领域具有潜在应用价值。